Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti laboratoriya ishi 6 fan elektronika va Sxemalar guruh 714 – 19 bajardi amonov Ramiz Nazorat savollari

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT
TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI


Laboratoriya ishi 6

FAN Elektronika va Sxemalar
GURUH 714 – 19
BAJARDI Amonov Ramiz


Nazorat savollari


1.Дарлингтон жуфтлиг,

Yilda elektronika, deb nomlangan ko'p tranzistorli konfiguratsiya Darlington konfiguratsiyasi (odatda a deb nomlanadi Darlington juftligi) ikkitasi tomonidan tuzilgan ma'lum bir dizaynning murakkab tuzilishi bipolyar tranzistorlar birinchi tranzistor tomonidan kuchaytirilgan oqim ikkinchisi bilan kuchaytiriladigan tarzda bog'langan.^[1] Ushbu konfiguratsiya ancha yuqori beradi joriy daromad alohida olingan har bir tranzistorga qaraganda. U 1953 yilda ixtiro qilingan Sidni Darlington.

Ushbu diagrammada R1 va R2 rezistorlari birinchi tranzistor asosida ofset hosil qiluvchi kuchlanish bo'linmasini tashkil qiladi. Murakkab tranzistor emitteriga ulangan rN qarshiligi chiqish davri hosil qiladi. Bunday qurilma keng .amalda, ayniqsa, yuqori oqim daromad talab qiladigan hollarda qo'llaniladi. Diagramma kirish signaliga yuqori sezuvchanlikka ega va yuqori chiqish manifoldu oqimi bilan ajralib turadi, bu esa ushbu oqimni nazorat qiluvchi (ayniqsa, past kuchlanishli) sifatida ishlatishga imkon beradi. Darlington sxemasidan foydalanish sxemalardagi tarkibiy qismlarning sonini kamaytirishga yordam beradi.


Agar β₁ va β₂ etarlicha baland (yuzlab), bu munosabatni quyidagicha taqsimlash mumkin:
2. Комплементар БТлар, БТ ва МТлар асосидаги таркибий транзистор схемалари.
Таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳосил қилиниши ҳам мумкин. Кейинги расмда n – канали p-n ўтиш билан бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак қувват бўйича ҳам, жуда катта кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат.

3. 
   Таркибий транзисторда натижавий ток қийматини аниқланг.
   

• 
  Таркибий транзисторда натижавий ток узатиш коэффициенти алоҳида транзисторлар ток узатиш коэффициентларининг кўпайтмасига тенг.
  
• 
  Агар β1 ва β2 лар бир хил қийматга эга бўлса, масалан 100 га, ҳисоблаб топилган коэффициент
  

β= β1 ∙β2 = 10000 бўлади.

• 
  Лекин, бир хил VT1 ва VT2 ларда β1 ва β2 коэффициентлар IК1 ва IК2 коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир–бирига тенг бўлади.
  
• 
  IЭ1>>IБ1=IЭ2 бўлгани учун IК2 >> IК1.
  
• 
  Шунинг учун β1<< β2 ва β= β1 ∙β2 амалда бир неча мингдан ошмайди.
  

4. БТ асосидаги ток кўзгуси схемаси.

5. Актив ток трансформатори схемаси

1-kirish uchining o'tish flanetsi;

2-qora qayindan yasalgan planka;
3, 4-tok transformatorlari;
5-birlamchi chulg'am vazifasini bajaruvchi o'tkazgich;
6 -karton izolatsiya;
7-ikkilamchi chulg'am o‘tish izolatori qisqichi;
8-bak qopqog‘i;
9- moyli rezervuar;

10 -izolatsion silindr.