Muhammad al Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari

---

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Muhammad al Xorazmiy nomidagi 

Toshkent axborot texnologiyalari 

universitetuti Qarshi filiali ax 12-19 

guruh talabasi Qurbonov Akobirning 

elektronika va sxemalar2  fanidan 

yozgan mustaqil ishi. 

 

 

---

Bipolyar tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar. 

                                         Reja: 

1.Bir turdagi MDY – tranzistorli elektron kalit. 

2.Komplementlar MDY – tranzistorli elektron kalit. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---

Yuklama va qayta ulanish elementlari bir turdagi MDY — 

tranzistorlarda hosil qilingan kalitlar texnologik jihatdan qulay va 

universal hisoblanadilar. Shu sababli ular KIS va bevosita aloqali 

0 ‘K IS larda keng qo‘llaniladi. KIS yana QUE bo'lib kanali 

induksiyalangan MDY — tranzistorda, YE — esa o‘tkazuvchanlik 

turi bir xil bo‘lgan kanali qurilgan MDY — tranzistorda hosil 

qilingan 

 

 

 

1-rasm. Shottki barerili transistor (a) va uning 

sharti belgisi (b). 

kalitlar ham qo'llaniladi. Bunday kalitlar yordam ida 

nochiziqli, kvazichiziqli va tokni barqarorlovchi yuklamali 

invertorlar hosil qilish mumkin. Bir turdagi va kom plem entar 

MDY — tranzistorlarda asosida tayyorlangan elektron kalitlarning 

statik parametrlarini ko‘rib chiqamiz. Bir turdagi MDY — 

tranzistorli elektron kalit. n-kanali induksiyalangan MDY — 

tranzistorli bunday kalit sxemasi 2-rasmda keltirilgan. Zatvori 

stok bilan ulangan VT2 tranzistor YuE hisoblanadi. Bunday 

tranzistor dinam ik yuklama deb ataladi. VT2 tranzistorning VAXi 

quyidagi mulohazalardan kelib chiqadi. Zatvor stok bilan 

ulanganligi sababli,     U

S1

 < ( U

Z12

-U

02

) tengsizlik bajariladi. Bu 

yerda U

02

 VT2 tranzistorning bo‘sag‘aviy kuchlanishi bo‘lib, 

zatvordagi kuchlanish U

02

 dan ortib ketsagina unda kanal 

induksiyalanadi va tranzistor ochiladi. Demak, tranzistor to 

---

‘yinish rejimida bo‘ladi. Bu rejimda VT2 tranzistorning VAXi (1) 

form ulaga asosan quyidagi ko‘rinishda yoziladi: 

 

 

 

2-rasm. Dinamik yuklama MDY-

tanzistorli kalit. 

BTdagi kabi, MDY — tranzistorlarda bajarilgan kalitlar ham, statik 

rcjimda qoldiq tok (berk holatda) va qoldiq kuchlanish (ochiq 

holatda) bilan ifodalanadi. Kalit quyidagicha ishlaydi. Agar VT1 

ning zatvoriga   U

kir

 = U

Z11

 < U

01

 kuchlanish berilsa ( U

01

 VT1 ning 

bo‘sag‘aviy kuchlanishi), bu tranzistor berk bo'ladi. Berk holatda 

kalit orqali VT1 ning stok p — n o ‘tishidan tesk ari'tokka teng 

bo'lgan qoldiq tok IQ0L oqib o ‘tadi. Uning qiymati I

QOL

= 10

-9

-10

-10

 A 

dan katta emas. Shuning uchun chiqish kuchlanishi o ‘zining m 

aksim al qiym atiga yaqin b o ‘ladi:U

chiq

 = E

m

(3-rasmdagi A nuqta). 

Qoldiq kuchlanish U

qol

 ni esa grafo analitik va analitik usulda 

aniqlaymiz. Buning uchun VT1 tranzistorning U

Z11

=E

m

 (2-egri 

chiziq) bo'lganda o ‘lchangan stok xarakteristikasining bo'lishi va 

unda VT2 tranzistorning (2) formula yordam ida aniqlangan 

yuklama chizig‘ini o ‘tkazish kerak (1— egri chiziq). Chiqish 

xarakteristikasining yuklama chizig‘i bilan kesishgan В nuqtasi 

---

qoldiq kuchlanish U

QOL

 va to ‘yinish toki I

STO’Y

 ni ishchi qiymatlarini 

belgilaydi. Kalit to ‘yinish tokini U

S12

=E

M

 deb faraz qilib, analitik 

usulda (2) formuladan aniqlash mukin.

 

I

ST

 tokni VT1 ning kanal qarshiligi R = l[B

1

(U

Z11

—U

01

)] ga ko‘paytirib 

va U

Z11

—E

m

 deb faraz qilib, qoldiq kuchlanishni aniqlash mumkin:  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3) 

 

 

(3) formuladan ko'rinib turibdi-ki, qoldiq kuchlanish 

qiymatini kam aytirish uch u n B

2

<

1

 bo‘lishi kerak. E slatib o 

‘tam iz, tranzistorning nisbiy tiklik qiymati В birinchi navbatda 

kanal kengligi Z ni uning uzunligi L ga nisbati (Z/L) bilan 

aniqlanadi. Bundan, qayta ulanuvchi tranzistorning Z /L qiymati 

imkon qadar katta, yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistomiki 

esa — imkon boricha kichik bo‘lishi kerakligi kelib chiqadi. 

Texnologik jihatdan kalitlarda B

1

/B

2

 = 50÷100 ta’minlanadi. 

Kalitdagi statik rejim va o ‘tish jarayonlarining tahlili ko‘rsatadi-

ki, tezkorligi va iste’mol quvvati nuqtayi nazaridan E

M

=(2÷3)U

0

 

---

kuchlanish manbayi optim al hisoblanadi. M azkur shartlarda 

qoldiq kuchlanish 50÷100 mV oralig‘ida yotadi. Komplementar 

MDY—tranzistorli elektron kalit. Bir turdagi MDY—tranzistorlarda 

hosil qilingan kalitlaming kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq 

bo‘lgan statik rejimda kalitdan doim tokoqib o ‘tadi. Kom plem 

entar, ya’ni o ‘tkazuvchanlik kanallari turi qarama-qarshi bo‘lgan 

M DY — tranzistorlar asosida tayyorlangan elektron kalit bu 

kamchilikdan holi (4 -rasm ). QUE sifatida n — kanali 

induksiyalangan MDY — tranzistor (VT1), YE sifatida esa p — 

kanali induksiyalangan MDY — tranzistor (VT2) qo'llanilgan. QUE 

sifatida n — MDY — tranzistorning asosi kuchlanish manbayining 

musbat qutbiga, p — MDY — tranzistorning asosi esa sxemaning 

umumiy nuqtasiga ulanadi. Kirish signali ikkala tranzistorning 

zatvorlariga bir vaqtda beriladi. Sxema quyidagicha ishlaydi. Agar 

U

KIR

= 0 bo‘lsa, u holda U

Z11

= 0 bo‘ladi, demak, n—MDY—

tranzistorda kanal induksiyalanmaydi, ya’ni tranzistor berk 

holatda bo‘ladi. Bu vaqtda VT2 ning zatvorida U

Z12

=U

KIR

-E

M

=-E

M

< 0 

bo‘ladi. 

 

 

 

 

 

 

         

                              4-rasm.  KMDY tranzistorli elektron kalit 

(invertor). 

Bu vaqtda chiqish kuchlanishi manba kuchlanishiga deyarli teng 

bo ‘ladi:

 

---

U

KIR

=E

M

 bo'lsin. U holda U

Z11

> U

01

 ,U

Z12

 = 0 bo‘ladi. Demak, n — MDY 

tranzistorda kanal induksiyalanadi, ya’ni VT1 ochiq, p — MDY 

tranzistor, ya’ni VT2 esa berk bo'ladi. Bu vaqtda um umiy 

zanjirdagi tok awalgidek I

QOL

 ga teng bo‘ladi. Kalit chiqishidagi 

qoldiq kuchlanish (3) ifodadan, indekslar o ‘rnini almashtirib 

aniqlanadi:

 

 

 

 

Qoldiq kuchlanishning kichikligi komplementar kalitlaming 

afzalligi hisoblanadi. Sxema ikkala holatda ham quvvat iste’mol 

qilmasligi bu kalitlarning yana bir afzalligi hisoblanadi.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---

Foydalanilgan adabiyotlar: 

1.

 

Elektronika (X.Aripov, A.Abdullayev va b.)