Muhammad al Xorazmiy nomidagi
Toshkent axborot texnologiyalari
universitetuti Qarshi filiali ax 12-19
guruh talabasi Qurbonov Akobirning
elektronika va sxemalar2 fanidan
yozgan mustaqil ishi.
Bipolyar tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar.
Reja:
1.Bir turdagi MDY – tranzistorli elektron kalit.
2.Komplementlar MDY – tranzistorli elektron kalit.
Yuklama va qayta ulanish elementlari bir turdagi MDY —
tranzistorlarda hosil qilingan kalitlar texnologik jihatdan qulay va
universal hisoblanadilar. Shu sababli ular KIS va bevosita aloqali
0 ‘K IS larda keng qo‘llaniladi. KIS yana QUE bo'lib kanali
induksiyalangan MDY — tranzistorda, YE — esa o‘tkazuvchanlik
turi bir xil bo‘lgan kanali qurilgan MDY — tranzistorda hosil
qilingan
1-rasm. Shottki barerili transistor (a) va uning
sharti belgisi (b).
kalitlar ham qo'llaniladi. Bunday kalitlar yordam ida
nochiziqli, kvazichiziqli va tokni barqarorlovchi yuklamali
invertorlar hosil qilish mumkin. Bir turdagi va kom plem entar
MDY — tranzistorlarda asosida tayyorlangan elektron kalitlarning
statik parametrlarini ko‘rib chiqamiz. Bir turdagi MDY —
tranzistorli elektron kalit. n-kanali induksiyalangan MDY —
tranzistorli bunday kalit sxemasi 2-rasmda keltirilgan. Zatvori
stok bilan ulangan VT2 tranzistor YuE hisoblanadi. Bunday
tranzistor dinam ik yuklama deb ataladi. VT2 tranzistorning VAXi
quyidagi mulohazalardan kelib chiqadi. Zatvor stok bilan
ulanganligi sababli, U
S1
< ( U
Z12
-U
02
) tengsizlik bajariladi. Bu
yerda U
02
VT2 tranzistorning bo‘sag‘aviy kuchlanishi bo‘lib,
zatvordagi kuchlanish U
02
dan ortib ketsagina unda kanal
induksiyalanadi va tranzistor ochiladi. Demak, tranzistor to
‘yinish rejimida bo‘ladi. Bu rejimda VT2 tranzistorning VAXi (1)
form ulaga asosan quyidagi ko‘rinishda yoziladi:
2-rasm. Dinamik yuklama MDY-
tanzistorli kalit.
BTdagi kabi, MDY — tranzistorlarda bajarilgan kalitlar ham, statik
rcjimda qoldiq tok (berk holatda) va qoldiq kuchlanish (ochiq
holatda) bilan ifodalanadi. Kalit quyidagicha ishlaydi. Agar VT1
ning zatvoriga U
kir
= U
Z11
< U
01
kuchlanish berilsa ( U
01
VT1 ning
bo‘sag‘aviy kuchlanishi), bu tranzistor berk bo'ladi. Berk holatda
kalit orqali VT1 ning stok p — n o ‘tishidan tesk ari'tokka teng
bo'lgan qoldiq tok IQ0L oqib o ‘tadi. Uning qiymati I
QOL
= 10
-9
-10
-10
A
dan katta emas. Shuning uchun chiqish kuchlanishi o ‘zining m
aksim al qiym atiga yaqin b o ‘ladi:U
chiq
= E
m
(3-rasmdagi A nuqta).
Qoldiq kuchlanish U
qol
ni esa grafo analitik va analitik usulda
aniqlaymiz. Buning uchun VT1 tranzistorning U
Z11
=E
m
(2-egri
chiziq) bo'lganda o ‘lchangan stok xarakteristikasining bo'lishi va
unda VT2 tranzistorning (2) formula yordam ida aniqlangan
yuklama chizig‘ini o ‘tkazish kerak (1— egri chiziq). Chiqish
xarakteristikasining yuklama chizig‘i bilan kesishgan В nuqtasi
qoldiq kuchlanish U
QOL
va to ‘yinish toki I
STO’Y
ni ishchi qiymatlarini
belgilaydi. Kalit to ‘yinish tokini U
S12
=E
M
deb faraz qilib, analitik
usulda (2) formuladan aniqlash mukin.
I
ST
tokni VT1 ning kanal qarshiligi R = l[B
1
(U
Z11
—U
01
)] ga ko‘paytirib
va U
Z11
—E
m
deb faraz qilib, qoldiq kuchlanishni aniqlash mumkin:
(3)
(3) formuladan ko'rinib turibdi-ki, qoldiq kuchlanish
qiymatini kam aytirish uch u n B
2
<
1
bo‘lishi kerak. E slatib o
‘tam iz, tranzistorning nisbiy tiklik qiymati В birinchi navbatda
kanal kengligi Z ni uning uzunligi L ga nisbati (Z/L) bilan
aniqlanadi. Bundan, qayta ulanuvchi tranzistorning Z /L qiymati
imkon qadar katta, yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistomiki
esa — imkon boricha kichik bo‘lishi kerakligi kelib chiqadi.
Texnologik jihatdan kalitlarda B
1
/B
2
= 50÷100 ta’minlanadi.
Kalitdagi statik rejim va o ‘tish jarayonlarining tahlili ko‘rsatadi-
ki, tezkorligi va iste’mol quvvati nuqtayi nazaridan E
M
=(2÷3)U
0
kuchlanish manbayi optim al hisoblanadi. M azkur shartlarda
qoldiq kuchlanish 50÷100 mV oralig‘ida yotadi. Komplementar
MDY—tranzistorli elektron kalit. Bir turdagi MDY—tranzistorlarda
hosil qilingan kalitlaming kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq
bo‘lgan statik rejimda kalitdan doim tokoqib o ‘tadi. Kom plem
entar, ya’ni o ‘tkazuvchanlik kanallari turi qarama-qarshi bo‘lgan
M DY — tranzistorlar asosida tayyorlangan elektron kalit bu
kamchilikdan holi (4 -rasm ). QUE sifatida n — kanali
induksiyalangan MDY — tranzistor (VT1), YE sifatida esa p —
kanali induksiyalangan MDY — tranzistor (VT2) qo'llanilgan. QUE
sifatida n — MDY — tranzistorning asosi kuchlanish manbayining
musbat qutbiga, p — MDY — tranzistorning asosi esa sxemaning
umumiy nuqtasiga ulanadi. Kirish signali ikkala tranzistorning
zatvorlariga bir vaqtda beriladi. Sxema quyidagicha ishlaydi. Agar
U
KIR
= 0 bo‘lsa, u holda U
Z11
= 0 bo‘ladi, demak, n—MDY—
tranzistorda kanal induksiyalanmaydi, ya’ni tranzistor berk
holatda bo‘ladi. Bu vaqtda VT2 ning zatvorida U
Z12
=U
KIR
-E
M
=-E
M
< 0
bo‘ladi.
4-rasm. KMDY tranzistorli elektron kalit
(invertor).
Bu vaqtda chiqish kuchlanishi manba kuchlanishiga deyarli teng
bo ‘ladi:
U
KIR
=E
M
bo'lsin. U holda U
Z11
> U
01
,U
Z12
= 0 bo‘ladi. Demak, n — MDY
tranzistorda kanal induksiyalanadi, ya’ni VT1 ochiq, p — MDY
tranzistor, ya’ni VT2 esa berk bo'ladi. Bu vaqtda um umiy
zanjirdagi tok awalgidek I
QOL
ga teng bo‘ladi. Kalit chiqishidagi
qoldiq kuchlanish (3) ifodadan, indekslar o ‘rnini almashtirib
aniqlanadi:
Qoldiq kuchlanishning kichikligi komplementar kalitlaming
afzalligi hisoblanadi. Sxema ikkala holatda ham quvvat iste’mol
qilmasligi bu kalitlarning yana bir afzalligi hisoblanadi.
Foydalanilgan adabiyotlar:
1.
Elektronika (X.Aripov, A.Abdullayev va b.)
Do'stlaringiz bilan baham: |