Мирзаев жасурбек исраилович

Рис.3.5. Влияние толщины квантовой ямы In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As на осцилляции плотности состояний, при поперечном квантующем магнитном поле
Например, в работе [98; pp.1802-1808] определена зависимость осцилляции плотности состояний от сильного квантующего магнитного поля для квантовой ямы GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs. Там получены осцилляции плотности состояний в квантовой яме GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs при постоянных низких температурах.
На рис.3.6 сравнивались теоретические расчеты с экспериментальными данными при температуре Т=1.5 К [98; pp.1802-1808], толщине квантовой ямы d=5 нм и числе уровней Ландау N_L=10 (линия 1 на рис.3.6). В пределах точности эксперимента, плотность состояний сильно осциллируется с ростом магнитного поля. В эксперименте термическое размытие очень слабое, поэтому Т=1,5 К, kT=1,3^.10^-4 эВ, В этом случае осцилляции плотности состояний наблюдаются в зоне проводимости квантовой ямы GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs. Для обработки экспериментальных данных осцилляций плотности состояний воспользуемся формулой (3.22). Теоретические результаты приведены на рис.3.6 (линия 2) для приведенных материалов и при температуре Т=1,5 К. Из рисунка 3.6 видно, что в эксперименте ширина осцилляций плотности состояний больше, а высота меньше, чем высота теоретических результатов. Как видно из этих рисунка, при температуре Т=1,5 К на графике все дискретные уровни Ландау четко различаются. Как видно из рис.3.6 теоретические результаты и экспериментальные данными хорошо согласуются в интервале магнитного поля от 1 Тл до 3 Тл. Рассмотрим влияние температуры на осцилляции плотности состояний в зоне проводимости квантовой ямы GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs при интервале магнитного поля B=1÷3 Тл. На рис.3.7 приведены осцилляции плотности энергетический состояний для четерёх разных температур. С ростом температуры, расширяется так, что при Т=45 К, дискретный уровни Ландау начинает размазываться.


Рис.3.6. Зависимость осцилляции плотности энергетических состояний от индукции поперечного квантующего магнитного поля в квантовой яме GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs при температуре Т=1,5 К.
1 – эксперимент [98; pp.1802-1808]
2 – наши результаты, вычислены с помощью формулы (3.22)