Мирзаев жасурбек исраилович

Р ис.3.2. Осцилляции плотности энергетический состояний в квантовой яме HgCdTe/CdHgTe [96; С.1274-1279] (квантовая яма Cd_xHg_1-xTe d=15 nm) при В=15 Тл и Т=4,2К, вычислено по формуле (3.22).

Таким способом, можно вычислить пики уровней Ландау в валентной зоне квантовой ямы при низких температурах. Мы вернёмся к этим расчетам в следующих частях диссертации.

На рис.3.3 приведен для температур 4,2 K, 20 K, 40 K, 60K, 80 K и 100 К. Видно из рисунка 3.3, что с ростом температуры резкие пики уровней Ландау начинают сглаживаться, а при достаточно высоких температурах дискретные энергетические плотности состояний превращяются в сплошные энергетические спектры. Эти результаты получены для постоянной толщины квантовой ямы и магнитного поля.
Рассмотрим зависимость толщины квантовой ямы от осцилляции плотности состояний в поперечном квантующем магнитном поле. В работе [97;С.63-76] определена зависимость толщины квантовой ямы In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As от энергетического спектра двумерного электрон-ного газа при отсутствии магнитного поля. Уменьшение толщины квантовой ямы приводит к пространственному ограничению движения носителей зарядов в поперечном направлении и к увеличению их энергии. На рис.3.4 показана зависимость энергии носителей заряда межзонной рекомбинации от толщины квантовой ямы In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As. Вычисленные существенные сдвиги энергий межзонной рекомбинации от толщины квантовой ямы объясняются изменением энергии размерного квантования носителей зарядов. Изменение энергетического спектра электронов или дырок, в разрешённой зоне квантовой ямы, приводит к изменениям плотности состояний. Но, вышеописанной работе влияние толщины квантовой ямы на осцилляции плотности энергетических состояний, с поперечным сильным магнитным полем, не рассматривалось. Используя формулу (3.22), можно вычислить зависимость толщины квантовой ямы от осцилляции плотности энергетических состояний, с параболическим законом дисперсии.