Microsoft Word doc

Светодиоды
 
Светоизлучающий
диод
(
СИД
) – 
это
полупроводниковый
диод
, 
излучающий
свет
при
пропускании
тока
через
p–n-
пере
-
ход
в
прямом
направлении
. 
Физическую
основу
работы
СИД
составляют
процессы
инжекции
неосновных
носителей
заряда
в
активную
область
p–n-
структуры
и
излучательная
рекомбина
-
ция
(
выделение
энергии
при
переходе
электрона
из
зоны
прово
-
димости
в
валентную
зону
) 
инжектированных
(
от
лат
. injectio – 
вбрасывание
) 
носителей
. 
СИД
включает
активный
элемент
из
полупроводниково
-
го
монокристалла
в
виде
кубика
(
чипа
) 
с
типичным
размером
0,3×0,3×0,25 
мм
, 
содержащего
p–n- 
или
гетеропереход
и
оми
-
ческие
контакты
для
управления
питающим
напряжением
. 
СИД
может
иметь
усложненную
конструкцию
, 
повышающую
эффективность
ввода
излучения
в
волокно
. 
По
сравнению
с
полупроводниковыми
лазерами
СИД
обла
-
дают
более
широким
спектром
излучения
, 
полоса
модуляции
у
них
уже
, 
а
эффективность
связи
с
оптическим
волокном
ниже
. 
Однако
, 
не
будучи
«
пороговым
прибором
», 
они
имеют
также
ряд
преимуществ
: 
высокую
надежность
(
большой
срок
службы
), 
про
-
стоту
изготовления
, 
низкую
себестоимость
. 
Поэтому
они
находят
широкое
применение
в
качестве
источников
света
в
системах
пе
-
редачи
на
небольшие
расстояния
с
шириной
полосы
до
несколь
-
ких
десятков
МГц
, 
например
для
внутренней
связи
в
пределах
здания
, 
самолета
, 
корабля
, 
автомобиля
и
т
.
д
. 
По
способу
вывода
излучения
СИД
подразделяются
на
дио
-
ды
с
поверхностными
 
излучателями
и
на
диоды
с
торцевыми
 
из
-
лучателями
. 
В
СИД
с
поверхностным
излучателем
свет
излучается
в
на
-
правлении
, 
перпендикулярном
поверхности
перехода
(
рис
. 8
.18, 
а
). 
Для
улучшения
отвода
тепла
от
активного
слоя
одна
сторона
вы
-
ращенного
слоя
прижимается
к
теплоотводу
, 
а
вывод
излучения
осуществляется
со
стороны
подложки
. 
Для
вывода
излучения
через

---

165 
поглощающую
подложку
на
арсениде
галлия
в
AlGaAs 
СИД
в
под
-
ложке
вырезается
круглое
отверстие
и
вводится
оптическое
волок
-
но
. 
Такую
конструкцию
диода
называют
диодом
 
Барраса
. 
Рис
8.18. 
Структура
СИД
с
поверхностным
излучателем
(
а
)
и
торцевым
излучателем
(
б
): 
1
– 
эпоксидная
смола
; 
2 –
омический
контакт
; 
3
– 
излучение
; 
4 –
оптическое
волокно
; 
5
– 
подложка
на
n
-GaAs; 
6 –
активный
слой
; 
7
– 
теплоотвод
; 
8 – 
нижний
омический
контакт
(
диаметром
50 
мкм
),
9
–
 
нижний
омический
контакт
(
ширина
65 
мкм
); 
10 
– 
подложка
В
СИД
с
торцевыми
излучателями
(
рис
. 8
.18, 
б
) 
вывод
из
-
лучения
, 
выходящего
из
активного
слоя
, 
осуществляется
с
торца
, 
как
в
полупроводниковых
лазерах
. 
Для
уменьшения
самопогло
-
щения
применяется
следующий
способ
: 
по
соседству
с
активным
слоем
формируется
световодный
слой
с
малыми
внутренними
потерями
, 
активный
слой
делается
тонким
, 
порядка
0,03–0,1 
мкм
. 
В
результате
по
сравнению
с
диодами
с
поверхностным
излуча
-
телем
яркость
оказывается
в
5–10 
раз
большей
. 
Чип
, 
содержащий
p–n-
переход
, 
может
использоваться
в
инди
-
каторном
СИД
, 
представляющем
собой
конструкцию
(
рис
. 8.19), 
размещенную
внутри
линзообразной
эпоксидной
смолы
(
компаун
-
да
). 
Эффективный
вывод
излучения
осуществляется
с
помощью
от
-
ражательной
пластины
. 
Такие
СИД
в
большинстве
случаев
приме
-
няются
как
миниатюрные
элементы
индикации
в
виде
точек
и
цифр
. 

---

166 
Простая
структура
кристалла
с
р
–n-
переходом
обеспечивает
низкую
стоимость
индикаторных
СИД
, 
которая
является
одним
из
важней
-
ших
предъявляемых
к
ним
параметров
. 
Рис
. 8.19. 
Конструкция
индикаторного
СИД
Для
индикации
используется
видимый
свет
с
видимым
из
-
лучением
от
зеленого
до
красного
цвета
. 
Для
повышения
КПД
источника
излучения
часто
применяется
введение
примеси
азо
-
та
, 
цинка
, 
кислорода
, 
которые
становятся
центрами
люминес
-
ценции
(
излучения
). 
Физический
принцип
функционирования
газоразрядных
 
индикаторов
(
ГРИ
) 
основан
на
преобразовании
электрической
энергии
в
световую
при
возбуждении
«
электронным
ударом
» 
атомов
газа
, 
который
в
рассматриваемом
случае
является
актив
-
ной
средой
, 
с
последующим
преобразованием
энергии
возбуж
-
дения
в
видимое
излучение
. 
В
качестве
газа
-
наполнителя
, 
как
правило
, 
используется
неон
с
небольшим
количеством
аргона
или
ксенона
. 
Оптимальные
параметры
газового
наполнения
вы
-
бираются
с
учетом
обеспечения
необходимой
яркости
свечения
, 
минимизации
напряжения
разряда
, 
потребляемой
мощности
, 
а
также
обеспечения
заданных
частотных
характеристик
и
уве
-
личения
долговечности
устройств
. 
Поскольку
собственное
све
-

---

167 
чение
газа
-
наполнителя
имеет
оранжевый
цвет
, 
варьирование
цвета
свечения
достигается
за
счет
использования
различных
фотолюминофоров
. 
Принципиальная
схема
ячейки
ГРИ
, 
на
основе
которой
форми
-
руется
конструкция
ГРИ
-
панели
, 
приведена
на
рис
. 8.20. 
Несмотря
на
сложную
систему
управления
, 
содержащую
высоковольтные
элемен
-
ты
, 
и
невысокую
яркость
, 
ГРИ
-
панели
площадью
до
3 
м
2
применяют
-
ся
в
системах
коллективного
пользования
. 
Рис
. 8.20. 
Принципиальная
схема
ГРИ
-
ячейки
Электролюминесцентные
 
индикаторы
(
ЭЛИ
) 
являются
еще
одной
разновидностью
индикаторных
систем
плоской
конструк
-
ции
. 
Типичная
конструкция
тонкопленочного
ЭЛИ
представлена
на
рис
. 8.21. 
Рис
. 8.21. 
Конструкция
электролюминесцентного
индикатора

---

168 
Технология
тонкопленочных
ЭЛИ
предусматривает
после
-
довательное
нанесение
на
стеклянную
подложку
методом
испа
-
рения
: 
изолирующего
слоя
окиси
иттрия
, 
люминофора
, 
в
качестве
которого
наиболее
часто
используется
сульфид
цинка
с
примесью
марганца
, 
верхнего
изолирующего
слоя
окиси
иттрия
, 
а
также
алюминиевых
электродов
. 
Генерация
света
происходит
в
ЭЛИ
в
области
толщиной
менее
2 
мкм
, 
перпендикулярной
электродам
, 
расстояние
между
которыми
задается
с
помощью
фотолитогра
-
фических
методов
с
точностью
до
1 
мкм
. 
ЭЛИ
-
панели
характеризуются
высоким
контрастом
даже
в
условиях
интенсивной
внешней
засветки
. 
Для
получения
пол
-
ноцветного
изображения
используется
широкая
гамма
материа
-
лов
для
люминофорных
сред
. 
В
последнее
время
достаточно
большую
популярность
по
-
лучили
индикаторы
на
основе
микроэлектромеханических
 
сис
-
тем
(MEMS-
индикаторы
). 
Индикаторные
системы
MEMS 
пред
-
ставляют
собой
массивы
модуляторов
света
, 
работающих
как
на
просвет
, 
так
и
на
отражение
, 
при
этом
их
конфигурация
может
быть
как
матричной
(
двумерной
), 
так
и
одномерной
(
в
виде
ли
-
нейной
шкалы
). 
В
основе
MEMS-
технологии
лежит
формирование
под
-
вижных
или
деформируемых
отражателей
, 
создаваемых
в
крем
-
ниевой
подложке
, 
при
этом
схема
управления
индикатором
мо
-
жет
быть
сформирована
на
этой
же
кремниевой
подложке
. 
Некоторые
примеры
MEMS-
технологий
представлены
на
рис
. 8.22. 
После
светофильтра
световой
поток
проходит
через
фокусирующую
оптику
и
попадает
на
поверхность
микрозер
-
кального
модулятора
, 
после
чего
промодулированный
пучок
фокусируется
в
плоскости
выходного
объектива
и
направля
-
ется
на
экран
. 
В
этой
схеме
микрозеркала
имеют
два
рабочих
состоя
-
ния
(
открытое
состояние
, 
при
котором
луч
попадает
на
экран
, 
а
также
закрытое
состояние
, 
когда
он
попадает
в
оптический
поглотитель
). 

---

169 
Рис
. 8.22. 
Схемы
различных
технологических
подходов
МЕМ
S-
технологий
Каждый
из
этих
технологических
подходов
имеет
свои
отличительные
признаки
, 
обусловленные
нацеленностью
на
оп
-
ределенные
секторы
рынка
индикаторных
систем
: 
в
некоторых
случаях
требуется
сложная
оптика
(DMD), 
в
других
же
случаях
(iMOD, iMODS) 
она
не
требуется
. 
Полупроводниковые
 
знакосинтезирующие
 
индикаторы
(
ПЗСИ
) 
являются
одним
из
наиболее
универсальных
классов
приборов
для
отображения
информации
разнообразного
харак
-
тера
, 
которые
обладают
оптимальной
совокупностью
свойств
, 
обеспечивающих
их
широкое
использование
в
устройствах
и
системах
индивидуального
, 
группового
и
даже
коллектив
-
ного
пользования
. 
Необходимость
увеличения
размера
знака
при
одновремен
-
ном
рациональном
использовании
полупроводниковых
структур
привела
к
разработке
гибридных
ПЗСИ
, 
основанных
на
принципе
рассеяния
света
(
рис
. 8.23). 
В
такой
конструкции
формирование
изображения
осущест
-
вляется
при
использовании
светоизлучающих
кристаллов
, 
раз
-
мещенных
в
светорассеивающей
полости
светопровода
. 
В
этом
случае
размеры
и
форма
светящейся
области
определяются
габа
-
ритами
и
конфигурацией
светопровода
. 
Можно
выделить
три
ва
-
рианта
конструкции
светопровода
: 

---

170 
Рис
. 8.23. 
Различные
варианты
конструкции
полупроводниковых
знакосинтезирующих
индикаторов
на
принципе
рассеяния
света
:
1
– 
кристалл
-
излучатель
; 
2
–
держа
-
тель
; 
3
– 
светопроводящая
полость
; 
4
– 
отражающие
стенки
; 
5
– 
части
-
цы
рассеивателя
;
 6
– 
корпус
;

7
– 
прозрачная
крышка
-
корпус
– 
пластмассовый
светопро
-
вод
с
верхним
рассеивающим
слоем
(
рис
. 8.23, 
а
); 
– 
полый
светопровод
с
рас
-
сеивающей
пленкой
(
рис
. 8.23, 
б
); 
– 
светопровод
с
отражаю
-
щими
зеркальными
стенками
(
рис
. 8.23, 
в
). 
Жидкокристаллические
 
ин
-
дикаторы
(
ЖК
-
индикаторы
) 
широко
применяются
для
бук
-
венно
-
цифровой
индикации
в
часах
, 
настольных
микро
-
калькуляторах
, 
в
плоских
те
-
левизионных
экранах
больших
размеров
. 
Они
обладают
рядом
достоинств
: 
возможностью
ис
-
полнения
в
виде
плоской
кон
-
струкции
, 
низким
управляющим
напряжением
, 
простотой
испол
-
нения
управляющей
схемы
, 
малой
потребляемой
мощностью
и
т
.
д
. 
Однако
они
недостаточ
-
но
эффективны
с
точки
зрения
контрастности
изображения
. 
Рассмотрим
электрооп
-
тические
эффекты
в
ЖК
-
инди
-
каторах
, 
которые
подразделя
-
ются
на
токовые
эффекты
(
ди
-
намическое
рассеяние
, 
эффект
электрического
управления
двулучепреломлением
, «
твист
-
эф
-
фект
») 
и
полевые
эффекты
(
фазовый
переход
, 
эффект
«
гость
–
хозяин
»). 

---

171 
Динамическое
 
рассеяние
 
света
. 
Если
через
слой
нематиче
-
ского
ЖК
с
отрицательной
диэлектрической
анизотропией
про
-
пустить
постоянный
или
переменный
ток
низкой
частоты
, 
то
про
-
зрачный
слой
ЖК
мутнеет
: 
происходит
рассеяние
света
. 
Поскольку
ЖК
-
ячейка
довольно
«
толстая
» (
больше
6 
мкм
), 
разрушение
ранее
упорядоченной
структуры
и
перевод
слоя
жидкости
в
состояние
турбулентности
, 
в
котором
осуществляется
рассеяние
света
, 
требу
-
ет
приложения
сильного
электрического
поля
. 
При
подмешивании
холестерического
ЖК
нематический
ЖК
будет
испытывать
влия
-
ние
со
стороны
«
закрученной
» 
структуры
его
молекул
. 
Возникает
динамическое
рассеяние
света
, 
которое
сохраняется
даже
после
снятия
электрического
поля
. 
Это
состояние
устраняется
приложе
-
нием
высокочастотного
электрического
поля
, 
в
котором
исчезает
динамическое
рассеяние
. 
Эффект
 
электрического
 
управления
 
двулучепреломлением
. 
На
ориентацию
молекул
ЖК
оказывает
влияние
состояние
по
-
верхностей
пластин
ЖК
-
ячейки
. 
Если
пластины
обработать
по
-
верхностно
-
активным
веществом
, 
то
, 
как
показано
на
рис
. 8.24, 
можно
получить
гомеотропную
упаковку
молекул
, 
перпендику
-
лярную
пластинам
, 
и
гомогенную
упаковку
молекул
, 
параллель
-
ную
пластинам
. 
Вне
ЖК
-
ячейки
скрещенно
размещают
поляриза
-
тор
и
анализатор
. 
Для
индикации
используется
свойство
двойно
-
го
лучепреломления
. 
Свет
, 
ставший
линейно
-
поляризованным
после
прохождения
поляризатора
, 
становится
эллиптически
по
-
ляризованным
после
прохождения
ЖК
-
ячейки
, 
обладающей
свойством
двойного
лучепреломления
. 
Тем
самым
интенсивно
-
стью
света
, 
прошедшего
через
ЖК
-
ячейку
, 
можно
управлять
с
помощью
приложенного
электрического
поля
. 
Так
как
интен
-
сивность
проходящего
света
зависит
от
длины
волны
, 
то
, 
изменяя
напряжение
, 
можно
менять
цветовой
тон
. 
«
Твист
-
эффект
» 
реализуется
при
помощи
однонаправлен
-
ного
натирания
поверхностей
пластин
во
взаимно
перпендику
-
лярных
направлениях
и
введения
нематического
жидкого
кри
-
сталла
с
положительной
диэлектрической
анизотропией
. 
Поскольку

---

172 
молекулы
жидкого
кристалла
между
двумя
пластинами
оказыва
-
ются
скрученными
на
90°, 
то
происходит
поворот
плоскости
по
-
ляризации
линейно
-
поляризованного
света
, 
прошедшего
через
ЖК
-
ячейку
. 
Приложенное
к
электродам
низкое
рабочее
напряже
-
ние
(
менее
1 
В
) 
позволяет
управлять
прохождением
света
. 
Рис
. 8.24. 
Упаковка
молекул
в
ЖК
:
а
– 
гомогенная
; 
б
 – 
гомеотропная
Фазовый
 
переход
 
связан
с
изменением
состояния
немати
-
ческого
жидкого
кристалла
при
изменении
электрического
поля
с
гомеотропной
упаковкой
молекул
, 
при
котором
ЖК
-
ячейка
прозрачна
, 
в
состояние
, 
при
котором
ЖК
-
ячейка
становится
не
-
прозрачной
, 
рассеивая
свет
. 
Оптический
 
эффект
«
гость
 – 
хозяин
». 
Краситель
, 
обла
-
дающий
свойством
менять
спектр
проходящего
света
в
зави
-
симости
от
ориентации
молекул
, 
называется
плеохроическим
красителем
. 
Если
к
жидкому
кристаллу
подмешать
краситель
, 
обладающий
свойством
менять
спектр
проходящего
света
в
зависимости
от
ориентации
молекул
, 
тогда
с
помощью
элек
-
трического
поля
оказывается
возможным
менять
как
ориента
-
цию
молекул
ЖК
, 
так
и
ориентацию
молекул
красителя
, 
т
.
е
. 
можно
изменять
цвет
ЖК
-
ячейки
. 
В
такой
ЖК
-
ячейке
ЖК
на
-
зывают
«
хозяином
», 
а
краситель
– «
гостем
», 
а
само
явление
называют
оптическим
эффектом
«
гость
– 
хозяин
». 
На
рис
. 8.25 
показано
превращение
ЖК
р
-
типа
с
гомогенной
упаковкой
мо
-
лекул
в
кристалл
с
гомеотропной
упаковкой
под
действием
электрического
поля
. 

---

173 
Рис
. 8.25. 
Оптический
эффект
«
гость
– 
хозяин
»: 
а
 –
без
электрического
поля
; 
б
 –
в
электрическом
поле
Несмотря
на
то
, 
что
технология
жидкокристаллических
эк
-
ранов
достигла
зрелого
состояния
, 
в
настоящее
время
из
-
за
не
-
удовлетворительной
цветопередачи
и
других
недостатков
идут
ин
-
тенсивные
поиски
альтернативных
технологий
. 
В
качестве
одной
из
возможных
альтернатив
в
последнее
время
рассматриваются
индикаторные
системы
на
основе
органических
 
электролюминес
-
центных
 
структур
(OLED). 
История
разработки
OLED, 
по
-
видимому
, 
начинается
с
1965 
году
, 
когда
в
национальной
химической
лаборатории
(
От
-
тава
) 
было
обнаружено
голубое
свечение
антрацена
. 
Следующий
этап
развития
OLED 
начинается
с
исследований
физика
Р
.
Г
. 
Фрэнда
и
химика
А
.
Н
. 
Холмса
(
Кембридж
) 
в
области
моле
-
кулярной
электроники
с
использованием
полимера
полипара
-
фениленвинелена
(PPV). 
Типичная
конструкция
OLED 
на
основе
PPV 
представлена
на
рис
. 8.26. 
В
то
время
как
в
современных
ЖКИ
-
экранах
яркость
прохо
-
дящего
через
фильтры
излучения
подсветки
составляет
величину

---

174 
порядка
100 
Кд
/
м
2
, 
в
первых
приборах
нового
поколения
этот
па
-
раметр
был
в
50–60 
раз
выше
(
на
уровне
5000–6000 
Кд
/
м
2
). 
Рис
. 8.26. 
Конструкция
OLED 
на
основе
PPV 
Интересным
фактом
, 
общим
как
для
твердотельной
, 
так
и
органической
оптоэлектроники
, 
является
поистине
стремитель
-
ная
динамика
улучшения
ключевых
светотехнических
параметров
приборов
начиная
с
1990 
года
, 
при
этом
по
уровню
светоотдачи
параметры
OLED 
превосходят
достижения
СИД
предыдущих
поколений
(
рис
. 8.27). 
Сверхяркие
СИД
, 
как
видно
на
рис
. 8.27, 
по
светоотдаче
на
порядок
превосходят
лампы
накаливания
и
значительно
превосходят
галогенные
лампы
. 
Успешное
решение
физико
-
технологических
проблем
по
-
зволило
в
последнее
время
разработать
и
освоить
в
серийном
производстве
такой
важный
класс
приборов
, 
как
оптроны
, 
соче
-
тающие
в
себе
функции
как
генерации
, 
так
и
регистрации
излу
-
чения
. 
Оптрон
– 
это
оптоэлектронный
прибор
, 
состоящий
из
оптического
излучателя
и
фотоприемника
(
ФП
). 
Физическую
основу
работы
оптрона
составляют
процессы
преобразования
электрических
сигналов
в
оптические
(
в
излучателе
), 
оптиче
-
ских
сигналов
– 
в
электрические
(
в
ФП
). 
ФП
представляют
собой
приборы
, 
в
которых
оптическая
(
световая
) 
энергия
преобразуется
в
электрическую
энергию
. 
Су
-
ществуют
следующие
разновидности
фотоприемников
: 
фото
-

---

175 
диоды
, 
солнечные
 
батареи
, 
лавинные
 
фотодиоды
, 
фототранзи
-
сторы
, 
фоторезисторы
. 
Принцип
действия
этих
фотоприемни
-
ков
заключается
в
использовании
эффектов
: 
фотогальваническо
-
го
, 
фоторезистивного
(
внутреннего
фотоэффекта
), 
внутреннего
усиления
. 
Рис
. 8.27.
Динамика
улучшения
светотехнических
параметров
твердотельных
и
органических
СИД
Оптроны
используются
в
датчиках
, 
преобразующих
электромагнитное
излучение
из
одного
диапазона
в
другой
, 
например
инфракрасное
излучение
в
видимое
и
т
.
п
. 
Наиболее
распространенная
конструкция
этого
прибора
представлена
на
рис
. 8.28. 
С
появлением
технологии
сверхъярких
СИД
, 
способных
обеспечить
передачу
широкой
гаммы
цветов
при
одновремен
-
ной
высокой
эффективности
процесса
излучательной
рекомби
-
нации
, 
наблюдается
подлинный
бум
в
области
нового
поколения
разнообразных
систем
визуального
отображения
информации
коллективного
и
группового
пользования
. 
Одной
из
иллюстра
-
ций
перспективности
такого
подхода
является
разработка
ми
-
ниатюрного
дисплея
, 
имеющего
размеры
30
×
33
×
89 
мм
и
дающе
-
го
пользователю
впечатление
восприятия
изображения
на
30 
см

---

176 
мониторе
с
использованием
СИД
-
технологии
(
рис
. 8.29). 
При
-
бор
имеет
массу
70 
г
, 
потребляет
менее
5 
Вт
и
может
работать
от
батарейки
. 
Его
можно
прикрепить
к
легкому
держателю
на
-
ушника
или
оправе
очков
. 
Рис
. 8.28. 
Конструкция
оптрона
в
керамическом
корпусе
Рис
. 8.29. 
Миниатюрный
дисплей
Предельные
возможности
полупроводниковых
излучате
-
лей
демонстрируют
лазеры
с
вертикальным
резонатором
(
ЛВР
), 
которые
отличаются
от
обычных
полосковых
лазеров
располо
-
жением
зеркал
резонатора
Фабри
-
Перо
параллельно
плоскости
полупроводниковой
пластины
. 
ЛВР
характеризуются
низкими
значениями
порогового
тока
, 
высокой
частотой
токовой
моду
-
ляции
(
десятки
гигагерц
) 
и
сверхминиатюрностью
. 

---

177 
Рис
. 8.30. 
Излучение
диода
с
InAs 
с
квантовой
точкой
в
активном
слое
при
токовой
апертуре
А
 < 
1 
мкм
(
яркая
точка
в
центре
) 
Важный
шаг
на
пути
реализации
однофотонных
излучате
-
лей
сделан
при
использовании
в
качестве
активного
слоя
InAs 
квантовых
точек
малой
плотности
. 
При
малой
апертуре
(
от
лат
. 
apertura – 
отверстие
) 
при
токовом
возбуждении
наблюдалось
излучение
одиночной
квантовой
точки
(
рис
. 8.30) 
Присутствие
в
спектре
излучения
лишь
одной
линии
, 
соответствующей
рекомбинации
экситона
одиночной
InAs 
квантовой
точки
, 
подтвердило
однофотонный
характер
излучения
. 
Ожидается
, 
что
именно
на
базе
ЛВР
будут
созданы
полупроводниковые
од
-
нофотонные
СИД
для
использования
в
будущих
системах
кван
-
товых
вычислений
и
квантовой
криптографии
.