Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi: Sa’dulloyev Muhammad


IMS tuzilish sxemasi. MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash



Download 10,16 Kb.
bet4/5
Sana10.01.2023
Hajmi10,16 Kb.
#898724
1   2   3   4   5
Bog'liq
Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi Sa’dul-fayllar.org

IMS tuzilish sxemasi.


MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash

MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash texnologiyasi

ikkita omil bilan bog’liq;


  • Kanallari bir xil o’tkazuvchanlikka ega integral MDYA – tranzistorlar uchun tuzilmalarni izolatsiyalash operatsiyasi talab etilmaydi. Asos hamma vaqt istok va stokka nisbatan teskari o’tkazuvchanlikka ega bo’ladi.Shuning uchun istok – asos va stok – asos p-n o’tishlarning biri kuchlanishning ixtiyoriy qutbida stok orasida teskari ulanadi va izolatsiyani ta’minlaydi.

  • Barcha tayyorlash jarayoni faqat MDYA – tuzilmani hosil qilishga olib kelinadi, chunki u nafaqat tranzistorlar sifatida , balki rezistorlar va kondensatorlar sifatida ham ishlatiladi.

Kristallda yonma-yon joylashgan va turli o’tkazuvchanliklikannallarga ega komplementar MDYA – tranzistorlarda (KMDYA) izolatsiya talab etiladi. Izolatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho’ntakchaga joylashtirish kerak bo’ladi. Masalan, agar asos sifatida p- kremniy ishlatilsa, p-kanalli tranzistor uchun avval n – turli cho’ntakcha tayyorlanishi kerak.

Kristallda yonma-yon joylashgan va turli o’tkazuvchanliklikannallarga ega komplementar MDYA – tranzistorlarda (KMDYA) izolatsiya talab etiladi. Izolatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho’ntakchaga joylashtirish kerak bo’ladi. Masalan, agar asos sifatida p- kremniy ishlatilsa, p-kanalli tranzistor uchun avval n – turli cho’ntakcha tayyorlanishi kerak.

MDYA – tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya asosida yaratiladi.Bu texnologiyada kremniy sirtida oksidlash, fotolitografiya va ochilgan darchalarga kiritmalar diffuziyasini amalga oshirish orqali bajariladi.

MDYA – tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrik qatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo’lganligi uchun unga alohida talablar qo’yiladi. Xarakteristika tikligini oshirish uchun:

ga muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak.





Download 10,16 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish