Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi: Sa’dulloyev Muhammad



Download 10,16 Kb.
bet2/5
Sana10.01.2023
Hajmi10,16 Kb.
#898724
1   2   3   4   5
Bog'liq
Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi Sa’dul-fayllar.org

Planar – epitaksial texnologiya. Planar – epitaksial texnologiya asosida to’rtta element (kondensator C, diod D, tranzistor T va resistor R ) dan tashkil topgan sodda IMS ni tayyorlashda texnologik operatsiyalar ketma-ketligini ko’rib chiqamiz.

Ishlab chiqilayotgan IMSning prinsipial sxemasi.


IMS tayyorlash uchun p – o’tkazuvchanlika ega, qalinligi 0,2÷0,4 mm, bo’lgan kremniy asosdan foydalaniladi.

IMS tayyorlash uchun p – o’tkazuvchanlika ega, qalinligi 0,2÷0,4 mm, bo’lgan kremniy asosdan foydalaniladi.

Bunday asosda elementlar soni mingtagacha yoki yuzlarcha bo’lgan o’rta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda hosil qilinadi(har bir kvadratda bir xil IMS lar joylashadi).

Asos sirtida termik oksidlash yo’li bilan qalinligi 0,5÷1 mkm bo’lgan Sqatlam hosil qilinadi. Shundan so’ng birinchi fotolitografiya oksid qatlamda “darcha”lar ochish uchun o’tkaziladi. Darchalar orqali 1÷2 mkm qalinlikka donor kiritmalar (surma yoki margumush) diffuziya qilinadi. Natijada bo’lg’usi tranzistorlar kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o’tkazuvchi n+ - soha hosil bo’ladi. Ushbu qatlam yashirin n+ - qatlam (cho’ntak) deb ataladi. U kollektor qarshiligini kamaytiradi, natijada tranzistor tezkorligi ortadi, kollektor esa ikki qatlamli n+ - n bo’lib qoladi.


Shundan keyin kremniy oksidi yemiriladi, asos sirtiga qalinligi 8÷10 mkmni tashkil etuvchi n-turli epitaksial qatlam o’stiriladi va epitaksial qatlam sirtida oksid qatlam hosil qilinadi. Ikkinchi fotolitografiya yordamida oksid qatlamda ajratuvchi diffuziyani o’tkazish uchun darchalar ochiladi.Aktseptor kiritmalarni (bor) darchalar orqali qatlam oxirigacha diffuziya qilib to’rtta n – soha (sxemadagi elementlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu n – sohalar bir-biridan p-n o’tishlar yordamida izolatsiyalangan bo’ladi. Ushbu sohalarning biri tranzistorning kollektori bo’lib xizmat qiladi. Tranzistorning bazasi, kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolatsiyalangan n – sohalarga akseptor kiritmalar diffuziyasi amalga oshiriladi. Buning uchun avval hosil qilingan oksid qatlamda uchunchi fotolitografiya yordamida shunday o’lchamli darchalar hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari talab etilgan nominallarni qanoatlantirsin.


Download 10,16 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish