Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Гибрид ИМС (ёки ГИС) деб умумий диэлектрик асосда жойлашган пардали пассив ва дискрет актив элементлар комбинациясидан иборат микросхемага айтилади. Дискрет компонентлар осма дейилади. Гибрид ИМСлар учун актив элементлар қобиқсиз ёки жажжи металл қобиқларда тайёрланади.
ГИСларнинг асосий афзалликлари: ишлаб чиқишнинг нисбатан кичик даврида аналог ва рақамли микросхемаларнинг кенг синфини яратиш имкониятидан, кенг номенклатурали пассив элементлар ҳосил қилиш имкониятидан (МДЯ – асбоблар, диодли ва транзисторли матрицалар) ва ишлаб чиқарилаётган микросхемаларда яроқлилар фоизининг кўплигидан иборат. ГИСлар алоқа аппаратларининг қабул қилиш - узатиш тизимларида, юқори частотали кучайтиргичларда, ЎЮЧ қурилмаларда ва бошқаларда қўлланилади.
Ишлатилган транзистор турига мувофиқ яримўтказгич интеграл микросхемалар биполяр ва МДЯ ИМСларга ажратилади. Ҳозирги кунда р - n ўтиш билан бошқариладиган МТлар асосида яратилган ИМСлар катта аҳамият касб этмоқда. Ушбу синфга арсенид галлий асосида, затвори Шоттки диоди кўринишида бўлган МТлар киради. Сўнгги пайтда таркибида ҳам биполяр, ҳам майдоний транзисторлар ишлатилган ИМСлар ҳам тайёрланмоқда.
ИМСнинг функционал мураккаблиги унинг таркибидаги элемент ва компонентлар сонини кўрсатувчи интеграция даражаси билан ифодаланади. Интеграция коэффициенти сон жиҳатдан К=lgN тенглик билан аниқланади, бу ерда, N – схема элементлари ва компоненталари сони (2.1-жадвал).
2.1-жадвал

Интеграция коэффициенти	К қиймати	Элементлар сони	ИМС номи
1	< 1	10 тагача	оддий
2	1 < К ≤ 2	11÷100	ўртача (ЎИС)
3	2 < К ≤ 4	101÷10 000	катта (КИС)
4-5	≥ 4	> 10 000	ўта катта (ЎКИС)

Оддий ИМСларга мисол сифатида мантиқ элементларни кўрсатиш мумкин. ЎИСларга жамлаш қурилмаси, счетчиклар, оператив хотира қурилмалари (ОХҚ), сиғими 256-1024 бит бўлган доимий хотира қурилмалари (ДХҚ) мисол бўла олади. КИСларга мантиқий-арифметик ва бошқарувчи қурилмалар киради. ЎКИСларга 1,9 миллиард МДЯ – транзисторлардан ташкил топган, сиғими 294 МБ бўлган хотира микросхемалари мисол бўла олади.

Кристаллдаги элементлар жойлашувининг зичлиги – бирлик юзага тўғри келувчи элементлар сони ИС конструкцияси ва технологияси сифатининг муҳим кўрсаткичи ҳисобланади. Технология даражаси минимал технологик ўлчам, яъни эришиш мумкин бўлган энг кичик ўлчам билан ифодаланади, масалан, эмиттер кенглиги, ўтказгичлар кенглиги, улар орасидаги масофа билан характерланади.
ИМСлар ишлаб чиқариш технологиясини мукаммаллаштириш жараёнида минимал технологик ўлчам Δ нинг йиллар бўйича ўзгариши 2.2-жадвалда келтирилган.

2.2-жадвал