Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Дебай узунлиги деб аталади. N_A=10¹⁵ см^-3 деб олсак, L_D ≈ 0,12 мкм эканлигини топамиз.
Ташқи кучланишнинг яна ҳам ўсиши сирт потенциалининг ўсишига олиб келади. Бунда сирт потенциали Ферми сатҳи валент зона шипини кесгунча ортади. Шундан кейин чегаравий қатлам ярим металл ҳолатга ўтади ва сирт потенциали максимал қийматини сақлайди
.
Ташқи кучланиш ишораси ўзгарганда бойиш режими ҳосил бўлади, чунки коваклар сиртга тортилади ва уларнинг концентрацияси акцепторлар концентрациясидан юқори бўлади. Бойитилган қатлам қалинлиги (8.6) формула ёрдамида топилади.
8.2 Канали индукцияланган МДЯ-транзисторлар вольт-ампер характеристикалари.
Тузилиши ва ишлаш принципи. n – канали қурилган МДЯ – транзистор тузилмаси 8.3,а-расмда ва шартли график тасвирланиши 8.3,б-расмда келтирилган.
Бундай транзисторларда исток ва сток орасида жойлашган ток ўтказувчи канал транзисторни тайёрлаш жараёнида ҳосил қили-нади. Шунинг учун бундай транзистор канали «қурилган» МТ деб аталади. Канал ион легирлаш усули билан яримўтказгич сиртига яқин соҳаларда юпқа қатлам ҳосил қилиш билан амалга оширилади. Канали қурилган МДЯ – транзисторлар истокка нисбатан затворга икки хил ишорали кучланишлар берилганда ҳам ишлай олади.
Агар U_ЗИ = 0 бўлганда транзисторга U_СИ кучланиш берилса, канал орқали электронлар токи оқади. Бу ток стокнинг бошланғич токи I_С.БОШЛ деб аталади. Затворга истокка нисбатан манфий кучланиш берилганда каналда ток йўналишига кўндаланг электр майдон ҳосил бўлади. Бу майдон таъсирида электронлар каналдан суриб чиқарилади. Каналда электронлар сони камаяди (канал камбағаллашади), унинг қаршилиги ортади ва сток токи қиймати ка-маяди. Затвордаги манфий кучланиш қиймати ортган сари, ток қиймати камаяверади. Транзисторнинг бу режими камбағаллашган режим деб аталади. Затворга берилган манфий кучланишнинг маълум қийматида сток токи нолгача камаяди (берк режим), ушбу кучланиш беркитиш кучланиши U_{ЗИ.БЕРК} деб аталади.
а) б)

8.3-расм. n – канали қурилган МДЯ – транзистор тузилмаси (а) бундай транзисторларнинг шартли график белгиланиши (б).

Агар затворга мусбат кучланиш берилса, ушбу кучланиш ҳосил қилган майдон таъсирида исток, сток ҳамда кристалл асосдан электронлар каналга кела бошлайди, канал ўтказувчанлиги ва сток токи қиймати ортади. Ушбу режим канали бойитилган режим деб аталади.

Қўриб чиқилган жараёнлар 8.4,а-расмда кўрсатилган статик сток-затвор характеристика U_СИ = const бўлгандаги I_С = f (U_ЗИ)да акс эттирилган.
Демак, U_ЗИ  0 бўлганда транзистор канали бойитилган режимда, U_ЗИ  0 бўлганда эса, камбағаллашган режимда ишлайди.
Канал бойитилган режимда (8.4,б-расм) транзисторнинг сток характеристикалари бошланғич U_ЗИ = 0 бўлгандаги характеристикадан юқорироқдан, канали камбағаллашган режимда эса, бошланғич характеристикадан пастроқдан ўтади.
n – канали қурилган МДЯ – транзисторнинг сток-затвор характеристикаси шакли бўйича n – канали индукцияланган транзисторнинг шундай характеристикаси билан бир хил бўлади, лекин U_ЗИ кучланишнинг манфий қийматларига U_БЎС дан U_{ЗИ.БЕРК} гача сурилган бўлади. Канали қурилган МДЯ – транзисторнинг сток-затвор ва сток характеристикалари канали индукцияланган МДЯ – транзисторлар характеристикалари каби тушунтирилади.
Сток-затвор ва сток характеристикалар ўзаро боғлиқ бўлиб, график усулда бири иккинчисидан ҳосил қилиниши мумкин.
а) б)

8.4-расм. n – канали қурилган МДЯ – транзисторнинг

сток-затвор (а) ва сток (б) характеристикалари.