mavzu: Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari

Almashlab ulagichlarning asosiy parametrlari: o’tish qarshiligi, kontaktlar orasidagi sig’im, izolyatsiya qarshiligi, kontaktlar quvvati, ishlash muddati, mahkamlab qo’yish aniqligi, massasi va o’lchamlari. O’tish qarshiligi kontaktlarning materialiga va sirtining holatiga bog’liq. Kontaktlar orasida bosim qanchalik katta va ular qanchalik kam oksidlangan bo’lsa, o’tish qarshiligi shunchalik kichik va kontaktlash ishonchliligi shunchalik yuqori bo’ladi. Odatda o’tish qarshiligi 0,01 – 0,03 Om ga teng. Kontaktlar orasidagi sig’im ularning o’zaro yuza bo’yicha to’silishi av oralaridagi masofa bilan, shuningdek o’rnatilgan dielektrikning turi bilan aniqlanadi. Yuqori chastotali almashlab ulagichlarning sig’imi 1-2 pF dan katta bo’lmasligi kerak.

Kontaktlar orasidagi izolyatsiya qarshiligi ularning elektrga nisbatan chidamliligini belgilaydi. Ishlash muddati vaqt birliklarida emas, balki me’yorda ishlayotgan uzib-ulagichning ulab-uzishlar soni bilan aniqlanadi, u odatda bir necha mingdan bir necha million ulab-uzishlarga teng bo’lib, kontakt quvvatiga ham, iqlim omillari ta’siriga ham bog’liq.

RELE Almashlab ulagichlar kabi rele ham radioqurilmalarning elektr zanjirlarini kommutatsiya qilishda ishlatiladi. Biroq, almashlab ulagichda bu kommutatsiya knopkalarni, klavishlarni mexanik bosish bilan, tumbler richagini o’zgartirish bilan amalga oshirilsa, releda magnit yoki temperature maydoni ta’sirida kontakt juftlarini bir vaqtda uzish (ulash) yuz beradi. Ishlash prinsipiga ko’ra relelar elektromagnit, magnitoelektrik, elektrodinamik, induksiyali, elektroissiqlik, electron va boshqa turlarga bo’linadi. Ulardan eng ko’p tarqalgani elektromagnit relelardir.

Интеграл микроэлектроника ривожининг физик чегаралари мавжудлиги сабабли, ҳозирги кунда анъанавий микроэлектроника билан бир қаторда электрониканинг янги йўналиши – наноэлектроника жадал ривожланмоқда.

• Интеграл микроэлектроника ривожининг физик чегаралари мавжудлиги сабабли, ҳозирги кунда анъанавий микроэлектроника билан бир қаторда электрониканинг янги йўналиши – наноэлектроника жадал ривожланмоқда.
• Наноэлектроника ўлчамлари 0,1 дан 100 нм гача бўлган яримўтказгич тузилмалар электроникаси бўлиб, микроэлектрониканинг микроминиатюрлаш йўлидаги мантиқий давоми ҳисобланади. У қаттиқ жисм физикаси, квант электроникаси, физикавий – кимё ва яримўтказгичлар электроникасининг сўнгги ютуқлари негизидаги қаттиқ жисмли технологиянинг бир қисмини ташкил этади.
• Сўнгги йилларда наноэлектроникада муҳим амалий натижаларга эришилди, яъни замонавий телекоммуникация ва ахборот тизимларнинг негиз элементларини ташкил этувчи: гетеротузилмалар асосида юқори самарадорликка эга лазерлар ва нурланувчи диодлар яратилди; фотоқабулқилгичлар, ўта юқори частотали транзисторлар, бир электронли транзисторлар, турли хил сенсорлар ҳамда бошқалар яратилди. Наноэлектрон ЎЮИС ва ГЮИС микропроцессорларни ишлаб чиқариш йўлга қўйилди.