Mavzu: bc 558 tipidagi bipolyar tranzistor asosidagi kuchatyirgichlarni parametrlarini xisoblash va loyihalash mundarija

2.3-rasm.Kam quvvatli n-p-n tranzistorining topologik sxemasi
Kollektor o‘lchamlari quyidagicha belgilanadi.
b_k≥b_b+2a+2Δ_f+Δ_c 2.1.11
l_k≥l_b+l_kk+a+f+c+2Δ_f+Δ_c 2.1.12
Xuddi shu usul bilan tranzistorning har qanday o‘tishiga asoslangan p-n-p kanalli tranzistor va diodlar kabi elementlarning geometrik o‘lchamlari hisoblanadi. Xuddi shu usuldan foydalanib va diod kabi p-n-p kanalli tranzistor elementlarning geometrik o‘lchamlari tranzistorning har qanday o‘tishi asosida hisoblanadi.
Muayyan konfiguratsiyaga ega bo‘lgan tranzistorning chiziqli o‘lchamlari ushbu turdagi texnologiya uchun minimal darajada bo‘lishi mumkin va tranzistorning o‘ziga xos parametrlari va o‘ziga xos fizik-ximyoviy tuzulishini ham hisobga olinishi kerak.



2.4-rasm.BC558 Transistori asosida yigilgan sxema
2.2 Bipolyar tranzistorlar asosida kuchaytirgichlarni loyhalash va hisoblash
N-p-n kanalli tranzistorining geometrik o‘lchamlarini hisoblash 2.1-bandda keltirilgan metodologiyaga muvofiq amalga oshiriladi. Emitter maydonini hisoblash litografiya usuli yordamida erishish mumkin bo‘lgan minimal geometrik o‘lcham asosida amalga oshiriladi.
(Texnologik standartga muvifiq - d_min = 6 mkm, Δ_f = 0,5mkm, Δ_с = 0,5mkm, Δ_с=Δ_f =0,5 мкм, Δ=0,5-4mkm, f=a=12mkm, x_jk=2,5mkm, x_je=1,7mkm, c=6mkm, h_er=3-8mkm), nisbati 2.1, va maksimal emitter toki
Ammo bizda bu formulalar yordamida hisoblash uchun boshlang'ich ma'lumotlar yo‘qligi sababli, emitter qatlam o‘lchami eksperimental tarzda olingan empirik formulaga muvofiq amalga oshirilishi mumkin.
I_Emах = 0,16 P_effik,
Bu yerda
I_Emах – emitter tokining oshib ketishi yuqori injektsiya darajasiga o‘tishga olib keladi.
P_effik –emitterni samarali premetri.
Keng polosali kuchaytirgich sxemasida ishlatiladigan tranzistorlar uchun maksimal emitter toki oqimi 1 -jadvalda keltirilgan. Emitter tokini maksimal qiymati I_emax = 4 mA, ya'ni 3.1-formulaga nisbatan bu tok qiymatini almashtirish orqali siz emitterning samarali o‘lchamini aniqlashingiz mumkin:
P_effik=4/0,25=16 mkm
Ish paytida, tranzistor emitterining faqat asosiy kontaktga yaqin bo‘lgan qismini kiritadi. Keyin biz 16 mikrometrga teng emitterning hisoblangan hajmini tanlaymiz. Shunday qilib, tranzistorning emitteri yon tomonli kvadrat shaklga ega bo‘ladi.
b_e = l_e = 3 d_min +Δ = 17 mkm
Biz oksidlanuvchi qatlamning (oynaning) minimal hajmiga teng emitter hajmini tanlaymiz
d_min = b_EK = l_EK = 7 mkm
Yuqorida ta'kidlab o‘tilganidek, foto niqoblarni tekislashdagi xato va fotomashinani ishlab chiqarishdagi xato Δ_с = Δ_f =0,5 мкм ga teng, oksiddagi oynaning minimal o‘lchami d_min = 7 мкм.
Tranzistorning boshqa barcha geometrik o‘lchamlari 2 -bandda keltirilgan formulalar bo‘yicha hisoblanadi.
Asosiy maydonning uzunligi 2.4-formulasi yordamida hisoblanadi.
l_b ≥ 17 + 4·6 + 2∙0,5 + 0,5 = 42,5 mkm
Biz qabul qilamiz l_b = 45 mkm.
Baza maydonining kengligi 2.5-formulasi yordamida hisoblanadi.
b_b ≥ 17 + 2·6 + 2∙0,5 + 0,5 = 30,5 mkm.
Biz qabul qilamiz b_b = 30 mkm.
Kontakt oynasining tayanch mintaqasi uzunligi oksiddagi oynaning minimal kattaligiga teng l_bq = d_min = 6 mkm, kengligi
b_bk ≤ b_b – 2d_min + 2Δ_f + Δ_c= 30 – 12 + 1 + 0,5 = 18,5 mkm.
Qabul qilamiz b_бк = 14 mkm.
a ≥ h_Eс+ x_je+2Δ_f + Δ_c = 10 + 2,5 + 1 + 0,5 = 14 mkm,
с h_Eс+x_jk+2Δ_f + Δ_c = 10 + 1,7 + 1 + 0,5 = 13,2 mkm.
Qabul qilamiz с = 15 mkm.
f x_ikb+x_je+2Δ_f + Δ_c = 2,5 + 1,7 + 1 + 0,5 = 5,7 mkm.
Qabul qilamiz f = 6 mkm.
b_k≥b_b+2a+Δ_f+Δ_c= 30 + 24 + 1 + 0,5 = 55,5 mkm.
Qabul qilamiz bк = 55 mkm.
Kollektorning kontakt maydonining geometrik o‘lchamlari quyidagi formulalar bilan hisoblanadi
l_KK ≤ 3d_min+2Δ_f+Δc= 21 + 1 + 0,5 = 22,5 mkm.
Biz qabul qilamiz lкк = 23 mkm.
b_KK≤b_K-2a+2Δ_f+Δ_c=55 – 30 + 1 + 0,5 = 26,5 mkm.
Qabul qilamiz b_кк = 27 mkm.
l_K≥l_b+l_KK+a+f+c+2Δ_f+Δ_c= 45 + 23 + 15 + 15 + 6 + 1 +0,5 =
= 105,5 mkm,
Qabul qilamiz lк = 106 mkm.
XULOSA

Men ushbu kurs loyihasini tayyorlash jarayonida bipolyar transistorlar asosidagi kuchaytirgich parametrlarini hisoblash va loyhalash haqida ko’plab bilim va ko’nikmalarga ega bo’ldim. Bu olingan bilim va xulosalarim asosida berilgan mavzuda kurs loyhasini tayyorladim

Kurs loyhasi bajarish davomida quyidagi asosiy masalalar o’z yechimini topdi:
Bipolyar transistorlar va ularning umumiy tavsifi haqida barcha ma’lumotlar berildi va hisob kitoblar amalga oshirildi.Transistorlar tipiga muofiq tarzda uning kuchaytirish koyfissenti va parametrlari o’rganilib tahlil qilindi. Bu olingan natijalarni va malumotlarni yana takomillashtirib kelgusida diplom ishi va loyhalarda ham foydalanaman