Mavzu: bc 558 tipidagi bipolyar tranzistor asosidagi kuchatyirgichlarni parametrlarini xisoblash va loyihalash mundarija

I-BOB. Bipolyar Integral mikrosxema topologiyasi

1.1 Bipolyar Integral mikrosxema topologiyasini tuzishning umumiy tamoyillari

Bipolyar integral mikrosxemalarni loyihalashda umumiy yondashuv yo‘q va bo‘lishi ham mumkin emas, har bir turi Integral mikrosxema talablari va dastlabki ma'lumotlariga qarab o‘ziga xos xususiyatlari bilan tavsiflanadi. Mikrosxemalar dizayni uchun dastlabki ma'lumotlar quyidagilardir: elementlarning elektr parametrlari uchun ruxsat etilgan nominal qiymatalr, texnologik jarayonni ifodalash uchun elektr sxemasi. Keng polosali kuchaytirgichning ishlab chiqilgan Integral mikrosxemaning ko‘rinishi 1.1 1-rasmda ko‘rsatilgan va ushbu sxemaning elektr parametrlari 1 -jadvalda keltirilgan.



1.1 1-rasm.Keng polosali kuchaytirgichning printsipial sxemasi
Ishlab chiqilgan Integral mikrosxemaning fizik tuzilishini tanlash
Mikrosxemaning elektr parametrlari va xususiyatlarini aniqlaydigan asosiy yarim o‘tkazgichli element tranzistor hisoblanadi. Shuning uchun tranzistorga qo‘yiladigan talablardan kelib chiqib tranzistorni fizik tuzilishi tanlanadi ya'ni. ma'lum elektrofizik parametrlar bilan o‘rganiladi, ular quyidagilarni o‘z ichiga oladi: qo‘shimchalarning konsentratsiyasi, zaryad tashuvchilarning harakatchanligi, zaryad tashuvchilarning sirt rekombinatsiyasi muddati va tezligi, materialning rezistivligi va materialning dielektrik konstantasi. Qolgan elementlarni hisoblash uchun esa tanlangan tranzistorning asosiy fizikaviy tuzulishini bilish lozim bo‘ladi.
Hozirgi vaqtda Integral mikrosxemalarning fizik tuzilishini ikkita asosiy turi mavjud: bipolyar tranzistorlarga asoslangan mikrosxemalar va maydoniy tuzilmalariga asoslangan mikrosxemalar. Eng ko‘p qatlamlar bipolyar tranzistorlarga asoslangan mikrosxemalarga ega (1.1.2 -rasm). Bu yashirin n + qatlam, epitaksial, p + - bo‘linish, bazaviy, emitterli, maxsus rezistiv va boshqalar maydoniy tranzistorlari asosida mikrosxemalar ishlab chiqarish uchun ularga faqat bitta diffuzion qatlam kerak.