Mavzu : mantiiy integral sxeaning asosiy elementlari


Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar



Download 0,57 Mb.
bet10/14
Sana05.07.2022
Hajmi0,57 Mb.
#739798
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14
Bog'liq
sqi kurs ishi 2

Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar
Kalit elementi sifatida odatda kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki ularda UZI nolga teng bo‘lganda uzilgan kalit holati ta’minlanadi (tranzistor berk).
Maydoniy tranzistorlar asosida yasalgan mantiqiy elementlar negizida aktiv element va yuklama MDYa – tranzistorda bajarilgan kalit sxema yotadi. Aktiv va yuklamadagi tranzistorlar bir xil yoki har xil o‘tkazuvchanlik turiga ega bo‘lgan kanaldan tashkil topgan bo‘lishi mumkin. Aktiv tranzistor zatvoriga yuqori potensialga (mantiqiy bir darajasi) berilsa uning stokidagi qoldiq kuchlanish 50-100 mV ni (mantiqiy nol darajasi) ni tashkil etadi. Bu bilan inversiya amalga oshiriladi.
Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. 64 – rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi keltirilgan.

4 – rasm.
VT0 tranzistor nochiziqli yuklama vazifasini bajaradi. Ketma – ket ulangan tranzistorlar asosi qobiqda qisqa tutashuv bajariladi, zatvor va yuklamadagi tranzistor stoki manba bilan tutashtirilgan. YeM = 3UBO‘S tanlanadi, bu yerda UBO‘S – tranzistor ochiladigan kuchlanish. Demak, yuqoridagi tranzistor doim ochiq holatda bo‘lib to‘yinish rejimida bo‘ladi va invertor tokini cheklash uchun xizmat qiladi (dinamik yuklama). VT0 stok toki kattaligi quyidagi formula bilan aniqlanadi
(6.7) .
Agar kalit kirishi X ga U0KIRUBO‘S kuchlanish berilsa (mantiqiy nol), VT1 tranzistor berk bo‘ladi, kalit orqali 10-9-10-10 A tok oqib o‘tadi, chiqishdagi kuchlanish esa bo‘lib kuchlanish manbai qiymatiga yaqin bo‘ladi: UChIQEM (mantiqiy bir).
Agar kalit kirishi X ga U0KIR UBO‘S kuchlanish berilsa, u holda VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimiga o‘tadi, bu vaqtda stok toki IS1 (6.7) ifoda orqali aniqlanadi, faqat USI0=EM deb olinadi.

(6.8) .
VT1 tranzistorning to‘yinish rejimidagi kanal qarshiligi
.

IS1 tokni kanal qarshiligi R ga ko‘paytirib, chiqish kuchlanishini olamiz

(6.9) .
Amaliyotda U1KIREM (6.9) dan ko‘rinib turibdiki, kichik chiqish kuchlanishi qiymatini UChIQ ta’minlash uchun V0V1 nisbat bajarilishi kerak. V kattaligi kanal kengligini uning uzunligiga nisbati bilan aniqlanadi (Z/L).
Bu kalit kichik tezkorlikka ega, chunki chiqish impulsining fronti tranzistor parametrlari bilan emas, balki chiqish sig‘imi zaryadini nochiziqli yuklama tranzistoridan chiqishi bilan aniqlanadi, bu qarshilik qiymati esa yuzlab kOmlarga yetadi.

Download 0,57 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish