Маъруза 1 таркиби

Конденсаторлар. 
Биполяр 
транзисторли 
ИМСларда 
тескари 
йўналишда силжиган р–n ўтишлар асосида ясалган конденсаторлар 

---

Ҳайдаров А.Ҳ. Аналог ва ракамли электроника
 
4
қўлланилади. Конденсаторларнинг шаклланиши ягона технологик циклда 
транзистор ва резисторлар тайёрлаш билан бир вақтнинг ўзида амалга 
оширилади. Демак уларни ясаш учун қўшимча технологик амаллар талаб 
қилинмайди. 
МДЯ – транзисторлар. ИМСларда асосан затвори изоляцияланган ва 
канали индукцияланган МДЯ–транзисторлар қўлланилади. Транзистор 
каналлари р- ва n– турли бўлиши мумкин. МДЯ–транзисторлар фақат 
транзисторлар сифатида эмас, балки конденсаторлар ва резисторлар 
сифатида ҳам қўлланилади, яъни барча схема функциялари биргина МДЯ – 
тузилмаларда амалга оширилади. Агар диэлектрик сифатида SiO
2 
қўлланилса, у ҳолда бу транзисторлар МОЯ–транзисторлар деб аталади. 
МДЯ – тузилмаларни яратишда элементларни бир – биридан изоляция 
қилиш операцияси мавжуд эмас, чунки қўшни транзисторларнинг исток ва 
сток соҳалари бир–бирига йўналган томонда уланган р-n ўтишлар билан 
изоляцияланган. Шу сабабли МДЯ–транзсторлар бир–бирига жуда яқин 
жойлашиши мумкин, демак катта зичликни таъминлайди. 
Биполяр ва МДЯ ИМСлар планар ёки планар – эпитаксиал 
технологияда ясалади. 
Планар технологияда n-р–n транзистор тузилмасини ясашда р–турдаги 
ярим ўтказгичли пластинанинг алоҳида соҳаларига тешиклари мавжуд 
бўлган махсус маскалар орқали маҳаллий легирлаш амалга оширилади. 
Маска ролини пластина сиртини эгалловчи кремний икки оксиди SiO
2
ўйнайди. Бу пардада махсус усуллар (фотолитография) ёрдамида дарча деб 
аталувчи тешиклар шаклланади. Киритмалар ёки диффузия (юқори 
температурада уларнинг концентрация градиенти таъсирида киритма 
атомларини ярим ўтказгичли асосга киритиш), ёки ионли легирлаш 
ёрдамида амалга оширилади. Ионли легирлашда махсус манбалардан 
олинган киритма ионлари тезлашади ва электр майдонда фокусланадилар, 
асосга тушадилар ва ярим ўтказгичнинг сирт қатламига сингадилар. 
Планар технологияда ясалган ярим ўтказгичли биполяр тузилмали 
ИМС намунаси ва унинг эквивалент электр схемаси 1 а, б - расмда 
келтирилган. 
Диаметри 76 ммли ягона асосда бир варакайига усулда бир вақтнинг 
ўзида ҳар бири 10 тадан 2000 та элемент (транзисторлар, резисторлар, 
конденсаторлар)дан ташкил топган 5000 микросхема яратиш мумкин. 
Диаметри 120 мм бўлган пластинада ўнлаб миллионтагача элемент 
жойлаштириш мумкин. 
Замонавий ИМСлар қотишмали планар – эпитаксиал технологияда 
ясалади. Бу технология планар технологиядан шуниси билан фарқ 
қиладики, барча элементлар р–турдаги асосда ўстирилган n–турдаги 
кремний қатламида ҳосил қилинади. Эпитаксия деб кристалл тузилмаси 
асосникидан бўлган қатлам ўстиришга айтилади. 

---

Ҳайдаров А.Ҳ. Аналог ва ракамли электроника
 
5
а) 
б)  
1 – расм. 
Планар – эпитаксиал технологияда ясалган транзисторлар анча 
тежамли, 
ҳамда 
планарлига 
нисбатан 
яхшиланган 
параметр 
ва 
харатеристикаларга эга. 
Бунинг учун асосга эпитаксиядан аввал n
+
- қатлам киритилади (2 - 
расм). Бу ҳолда транзистор орқали ток коллектордаги юқориомли 
резитордан эмас, балки кичикомли n
+ 
- қатлам орқали оқиб ўтади. 
2 – расм. 
Микросхема турли элементларини электр жиҳатдан бирлаштириш учун 
метллизациялаш қўлланилади. Металлизациялаш жараёнида олтин, кумуш, 
хром ёки алюминийдан юпқа металл пардалар ҳосил қилинади. Кремнийли 
ИМСларда металлизациялаш учун алюминийдан кенг фойдаланилади. 
Схемотехник белгиларига кўра микросхемалар икки синфга бўлинади. 
ИМС бажараётган асосий вазифа – электр сигнали (ток ёки кучланиш) 
ни кўринишида берилаётган ахборотни қайта ишлаш ҳисобланади. Электр 
сигналлари узлуксиз (аналог) ёки дискрет (рақамли) шаклда ифодаланиши 
мумкин. 
Шу сабабли, аналог сигналларни қайта ишлайдиган микросхемалар –