Маъруза 1 таркиби

ИМС компонентаси деб унинг дискрет элемент функциясини 
бажарадиган, лекин аввалига мустақил маҳсулот каби монтаж қилинадиган 
қисмига айтилади. 
Асосий ИМС конструктив белгиларидан бири бўлиб асос тури 
ҳисобланади. Бу белгига кўра ИМСлар икки турга бўлинади: ярим 
ўтказгичли ва диэлектрик. 
Асос сифатида ярим ўтказгичли материаллар орасида кремний ва 
галлий арсениди кенг қўлланилади. ИМСнинг барча элементлари ёки 
элементларнинг бир қисми ярим ўтказгичли монокристалл пластина 
кўринишида асос ичида жойлашади. 
Диэлектрик асосли ИМСларда элементлар унинг сиртида жойлашади. 
Ярим 
ўтказгич 
асосли 
микросхемаларнинг 
асосий 
афзаллиги 
– 
элментларнинг жуда катта интеграция даражаси ҳисобланади, лекин унинг 
номинал параметрлари диапазони жуда чекланган бўлиб улар бир - биридан 
изоляцияланишни талаб қилади. Диэлектрик асосли микросхемаларнинг 
афзаллиги 
– 
элементларнинг 
жуда 
яхши 
изоляцияси, 
уларнинг 
хоссаларининг 
барқарорлиги, 
ҳамда 
элементлар 
тури 
ва 
электр 
параметрлари танловининг кенглиги. 
Пардали ва гибрид микросхемалар 
Пардали ИС – бу диэлектрик асос сиртига суртилган элементлари 
парда кўринишида бажарилган микросхема. Пардалар паст босимда турли 
материаллардан юпқа парадалар кўринишида чўкмалар ҳосил қилиш йўли 
билан олинади. 
Парда ҳосил қилиш усули ва унга боғлиқ бўлган қалинлигига кўра 
юпқа пардали ИС (парда қалинлиги 1 – 2 мкмгача) ва қалин пардали ИС 
(парда қалинлиги 10 – 20 мкм гача ва катта) ларга бўлинади. 
Ҳозирги кунда барқарор пардали диодлар ва транзисторлар мавжуд 
эмас, шу сабабли пардали ИСлар фақат пассив элементлар (резисторлар, 
конденсаторлар ва х.з.) дан ташкил топади.