Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

57 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

58 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

59 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.5. МТ статик ВАХларини MultiSim 10.1 дастурий таъминоти ѐрдамида моделлаш 
Multisim 10.1. дастурининг интерфейси 

---

60 
Multisim 10.1. дастури реал вақт масштабида ишловчи, ўлчаш ускуналари билан 
жиҳозланган тадқиқотчининг реал иш жойи – радиоэлектрон лабораторияни имитация 
қилади. Дастур ѐрдамида ҳар қандай мураккабликдаги аналог ва рақамли радиоэлектрон 
қурилмаларни тузиш, моделлаш ва тадқиқ қилиш мумкин. 
Фойдаланувчининг интерфейси меню, асбоблар панели ва ишчи соҳадан иборат. 
Майдоний транзисторларни Multisim 10.1. дастури ѐрдамида текшириш 
Multisim 10.1.нинг библиотекасига катта миқдордаги чет эл транзисторлари 
қиритилган. Уларнинг параметрлари бешта ойнада бўлиб, (3.18 - расм) асосийлари 
қуйидагилар: 
3.18-расм. МТнинг параметрларини ўрнатиш ойналаридан бири. 
1. Коллектор ўтишнинг тескари токи, А(); 
2. Умумий 
эмиттерли 
схемада 
ток 
бўйича 
кучайтириш 
коэффициенти, (); 
3. Умумий эмиттерли схемада транзистор инверс улангандаги 
(эмиттер ва коллекторнинг ўринлари алмаштирилганда) токни 
кучайтириш коэффициенти, (); 
4. Базанинг хажмий қаршилиги, Ом (); 
5. Коллекторнинг хажмий қаршилиги, Ом (); 
6. Эмиттернинг хажмий қаршлиги, Ом (); 

---

61 
7. Нол кучланишдаги эмттер ўтишнинг сиғими, Ф (); 
8. Нол кучланишдаги коллектор ўтишнинг сиғими, Ф (); 
9. Коллектор – тагликнинг сиғими, Ф (); 
10. Заряднинг база орқали ўтиш вақти, с (); 
11. Транзистор инверс уланганда заряднинг база орқали ўтиш 
вақти, с (); 
12. Эмиттер ўтишнинг силлиқлик коэффициенти (); 
13. Коллектор ўтишнинг силлиқлик коэффициенти (); 
14. Эрли кучланиши, В (); 
15. Эмиттер ўтишнинг тескари токи, А (); 
16. Ток бўйича кучайтириш пасайиши бошланадиган ток (тўй 
параметрига яқин), А (); 
17. Эмиттер ўтишнинг идеал эмаслик коэффициенти (); 
18. База – коллектор ўтишнинг контакт потенциаллар фарқи, В (); 
19. База-эмиттер ўтишнинг контакт потенциаллар фарқи, В (); 
МТнинг бошқарув ВАХи сток-исток кучланишининг (U
СИ
) берилган ўзгармас 
қийматларида затвор-исток кучланишини (U
ЗИ
) ўзгартириб сток токини (I
С
) ўлчаш йўли 
билан олинади. Чиқиш ВАХини олиш учун затвор-исток кучланишини (U
ЗИ
) ўзгармас 
қийматларида сток-исток кучланиши (U
СИ
) ни ўзгартириб, сток токи (I
С
) ўлчанади. 
УИ схемаси бўйича уланган МТнинг ВАХларини олиш схемаси 3.19–расмда 
келтирилган.

---

62 
3.19-расм. УИ схемаси бўйича уланган МТнинг ВАХларини олиш схемаси. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

63