Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

C
 / ΔU
ЗИ
формула ѐрдамида аниқланг. Олинган натижани 
ҳисоботга ѐзиб олинг. 
5. Сток қаршилигини R
С
= 300 Ом, стокдаги ЭЮК манбаи қийматини Е
С
 = 5 В деб 
танлаб олинг ва MS Word воситалари ѐрдамида чиқиш характеристикалари абсцисса ўқида 
Е
С
= 5В ва ордината ўқида I
С
= Е
С 
/ R
С
 
нуқталарга мос келувчи
юклама чизиғини 
ўтказинг. 
6. Транзисторнинг затвор-исток кучланиши -1,0В ва +0,5В га тенг бўлган чиқиш 
характеристикалари билан юклама чизиғи кесишадиган нуқталар (I
C.макс
, U
СИ.макс
ва
I
C.мин
, U
СИ.мин.
) координаталари билан аниқланувчи транзистор актив режими 
чегараларини баҳоланг. Олинган натижаларни ҳисоботга киритинг. 
7. Актив режимнинг ўрта нуқтаси учун сток ток қиймати I
C
*
 
=
I
C.макс 
- 
 
I
C.мин 
ни
ҳисобланг ва узатиш характеристикасидан унга мос келувчи затвор-исток 
кучланиши U
ЗИ
*
қийматини аниқланг. 
8. ВА ташқи панелидаги “4-топшириққа ўтиш” тугмасини босинг. Экранда 4 – 
топшириқни бажаришга мўлжалланган ВА ташқи панели пайдо бўлади (3.13 – расм). 

---

54 
3.13 – расм. 4- топшириқни бажаришдаги ВА ташқи панели.