Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

С.1
ва I
С.2 
қийматларини 
ҳисоботга ѐзиб олинг. 
6. МТ узатиш характеристикасидаги U
ЗИ
= 0В ҳолат учун характеристика тиклиги 
катталигини S = (I
С.2
-I
С.1
) / (U
ЗИ.2 
- U
ЗИ.1
) формула ѐрдамида ҳисоблаб топинг ва натижани 
ҳисоботга ѐзиб олинг.
7. ВА ташқи панелидаги “2-топшириққа ўтиш” тугмасини босинг. Экранда 2 – 
топшириқни бажаришга мўлжалланган ВА ташқи панели пайдо бўлади (3.11
– расм). 
3.11 – расм. 2 - топшириқни бажаришдаги ВА ташқи панели. 

---

52 
 
2. МТ канали қаршилигини затвор-исток кучланишга боғлиқлигини ўлчаш 
1. 
ВА ташқи панелидаги рақамли бошқарув элементидан фойдаланиб, 
стокдаги кучланиш манбаи қиймати E
С
ни 5 В қилиб ўрнатинг. ВА панелидаги “Ўлчаш” 
тугмасини босинг. ВАнинг график индикаторида канал қаршилиги R
K
ни затвор – исток 
кучланиш U
ЗИ
га боғлиқлик графиги ҳосил бўлади. 
График индикаторида ҳосил бўлган тасвирни ҳисоботга кўчиринг. 
2. ВА панелидаги созлагич ѐрдамида затвордаги ЭЮК манбаи E
З
қийматини 
ўзгартириб, I
С
 сток токи қийматини тахминан 0,01 мА қилиб ўрнатинг. Затвор-истокдаги 
беркилиш кучланиши қиймати U
ЗИ.берк
га мос келувчи қаршилик R
K.макс
қийматини 
ҳисоботга ѐзиб олинг (транзисторнинг берк ҳолати). 
3. ВА панелида жойлашган созлагич ѐрдамида затвордаги ЭЮК манба кучланиши