Loyiha quyidagi masalalarni hal qiladi

Bipolyar tranzistor (BJT)

N – p – n bipolyar birikma tranzistor tuzilishi
Bipolyar o'tish transistorlari (BJT) n-p-n yoki p-n-p konfiguratsiyasida ikkita p-n birikmalaridan hosil bo'ladi. O'rta yoki tayanch, kavşaklar orasidagi mintaqa odatda juda tor. Boshqa mintaqalar va ular bilan bog'liq terminallar, deb nomlanadi emitent va kollektor. Baza va emitent o'rtasidagi tutashuv orqali AOK qilingan kichik oqim, tayanch-kollektor birikmasining xususiyatlarini o'zgartiradi, shunda u teskari tarafkashlikka qaramasdan tokni o'tkaza oladi. Bu kollektor va emitent o'rtasida asosiy emitent oqimi tomonidan boshqariladigan ancha katta oqim hosil qiladi.
Dala effektli tranzistor (FET)
Boshqa bir tranzistor turi dala effektli tranzistor (FET), yarim o'tkazgich o'tkazuvchanligini an mavjud bo'lganda oshirish yoki kamaytirish mumkin degan printsip asosida ishlaydi elektr maydoni. Elektr maydoni yarim o'tkazgichdagi bo'sh elektronlar va teshiklar sonini ko'paytirishi va shu bilan uning o'tkazuvchanligini o'zgartirishi mumkin. Maydon a hosil qiluvchi teskari tomonli p-n birikmasi bilan qo'llanilishi mumkin birlashma maydon effektli tranzistor (JFET) yoki oksidli qatlam bilan quyma materialdan izolyatsiya qilingan elektrod bilan, a hosil qiladi metall-oksid-yarimo'tkazgichli dala-effektli tranzistor (MOSFET).
Metall oksidli yarim o'tkazgich FET (MOSFET)

A ning ishlashi MOSFET va uning Id-Vg egri chizig'i. Dastlab, eshik kuchlanishi qo'llanilmaganda. Kanalda teskari elektron yo'q, qurilma O'chirilgan. Eshikning kuchlanishi oshganda, kanaldagi inversiya elektron zichligi oshadi, oqim kuchayadi, qurilma yoqiladi.
metall-oksid-yarim o'tkazgich FET (MOSFET yoki MOS tranzistor), a qattiq holat bugungi kunda eng keng tarqalgan yarimo'tkazgichli qurilma. Bu barcha tranzistorlarning kamida 99,9 foizini tashkil qiladi va ularning soni 13 ga teng sekstillion 1960 yildan 2018 yilgacha ishlab chiqarilgan MOSFETlar.^[4]
The Darvoza elektrodni boshqaradigan elektr maydonini hosil qilish uchun zaryadlanadi o'tkazuvchanlik deb nomlangan ikkita terminal o'rtasidagi "kanal" ning manba va drenaj. Kanaldagi tashuvchining turiga qarab, qurilma n-kanal (elektronlar uchun) yoki a p-kanal (teshiklar uchun) MOSFET. Garchi MOSFET qisman "metall" darvozasi bilan nomlangan bo'lsa-da, zamonaviy qurilmalarda polisilikon odatda uning o'rniga ishlatiladi.
Yarimo'tkazgich moslamasi materiallari
Uzoq, kremniy (Si) yarimo'tkazgichli qurilmalarda eng ko'p ishlatiladigan materialdir. Xom ashyoning arzonligi, nisbatan sodda ishlov berish va foydali harorat oralig'ining kombinatsiyasi uni hozirgi vaqtda turli xil raqobatlashadigan materiallar orasida eng yaxshi kelishuvga aylantiradi. Yarimo'tkazgichli qurilmalar ishlab chiqarishda ishlatiladigan silikon hozirda ishlab chiqarilgan boullar diametri 300 mm (12 dyuym) ishlab chiqarishga imkon beradigan darajada katta. gofretlar.
Germaniya (Ge) keng tarqalgan bo'lib ishlatiladigan yarimo'tkazgichli material edi, ammo uning issiqlik sezgirligi uni kremniyga qaraganda kamroq foydali qiladi. Bugungi kunda germaniy tez-tez juda tezkor SiGe qurilmalarida foydalanish uchun kremniy bilan qotishma qilingan; IBM bunday qurilmalarning asosiy ishlab chiqaruvchisi hisoblanadi.
Galliy arsenidi (GaAs) yuqori tezlikda ishlaydigan qurilmalarda ham keng qo'llaniladi, ammo hozirgacha ushbu materialning katta diametrli boullarini hosil qilish qiyin bo'lib, gofret diametrini kremniy gofretlariga nisbatan sezilarli darajada kichikroq qilib cheklab qo'ydi, shu sababli GaAs moslamalarini ommaviy ishlab chiqarishni sezilarli darajada oshirdi. kremniydan qimmat.
Boshqa kamroq tarqalgan materiallar ham foydalanilmoqda yoki tekshirilmoqda.
Kremniy karbid (SiC) ko'k uchun xom ashyo sifatida ba'zi bir dasturlarni topdi yorug'lik chiqaradigan diodlar (LED) va juda yuqori darajaga bardosh bera oladigan yarimo'tkazgichli qurilmalarda foydalanish uchun tekshirilmoqda ish harorati va muhim darajalar mavjud bo'lgan muhit ionlashtiruvchi nurlanish. IMPATT diodalari SiC-dan ham to'qib chiqarilgan.
Turli xil indiy birikmalar (indiy arsenidi, indiy antimonidva indiy fosfid) LED va qattiq holatda ham ishlatiladi lazer diodlari. Selen sulfid ishlab chiqarishda o'rganilmoqda fotoelektrik quyosh xujayralari.

Uchun eng keng tarqalgan foydalanish organik yarim o'tkazgichlar bu organik yorug'lik chiqaradigan diodlar.

Umumiy yarimo'tkazgichli qurilmalar ro'yxati