Логические элементы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
АНГАРСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ТЕХНИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ
ФАКУЛЬТЕТ ТЕХНИЧЕСКОЙ КИБЕРНЕТИКИ
КАФЕДРА ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ

РЕФЕРАТ

по курсу: Импульсная техника
тема: Логические элементы

Выполнил

Студент гр. ПЭ-98-1

ФИРСОВ Д.В.
Приняла:
КУРЧЕНКО О.А.
Должность: ст преподаватель

Подпись:____________

Оценка:

Ангарск 2001 г.

Содержание

Введение 2
Параметры логических интегральных микросхем 3
Диодно-транзисторная логика 3
Транзисторно-транзисторные логические элементы 4
Базовые логические элементы эмиторно-связной логики 8
Принцип действия и функциональные возможности БЛЭ ЭСЛ. 10
СХЕМОТЕХНИКА БЛЭ КМОП-ТИПА 11
БЛЭ Интегрально-инжекционной логики 13
Список используемой литературы 15

Введение

В большинстве современных ЭВМ и цифровых устройствах различного назначения обработка информации происходит с помощью двоичного кода, когда информационные сигналы могут принимать только два значения: 1 и 0. Операции по обработке двоичной информации выполняют логические элементы.
Используя набор логических элементов, выполняющие элементарные логические операции И, ИЛИ, НЕ, можно реализовать в двоичном коде любую сложную логическую функцию.

Параметры логических интегральных микросхем

1. 
   Входное U¹_вх и выходное U¹_вых напряжение логической единицы – значение высокого уровня напряжения на входе и выходе микросхемы;
   
2. 
   Входное U⁰_вх и выходное U⁰_вых напряжение логического нуля – значение низкого уровня напряжения на входе и выходе микросхемы;
   
3. 
   Входной I¹_вх и выходной I¹_вых токи логической единицы, входной I⁰_вх и выходной I⁰_вых токи логического нуля;
   
4. 
   Логический период сигнала , пороговое напряжение U_{пор вх} – напряжение на входе, при котором состояние микросхемы изменяется на противоположное;
   
5. 
   Входное сопротивление логической ИМС – отношение приращения входного напряжения к приращению входного тока (различают R⁰_вх и R¹_вх), выходное сопротивление – отношение приращения выходного напряжения к приращения выходного тока (различают R⁰_вых и R¹_вых);
   
6. 
   Статическая помехоустойчивость – максимально допустимое напряжение статической помехи по высокому U¹_пом и низкому U⁰_пом уровням входного напряжения, при котором еще не происходят изменения уровня выходного напряжения микросхемы;
   
7. 
   Средне потребляемая мощность P_{потр ср} = (P⁰_потр + Р¹_потр)/2 , где P⁰_потр и Р¹_потр – мощности, потребляемые микросхемой в состоянии соответственно логического нуля и единицы на выходе;
   
8. 
   Коэффициент объединения по входу К_об, показывающий, какое число аналогичных логических ИМС можно подключить к входу данной схемы, и определяющий максимальное число входов логической ИМС;
   

Коэффициент разветвления по входу К_разв, показывающий какое количество аналогичных нагрузочных микросхем можно подключить к выходу данной ИМС, и характеризующий нагрузочную способность логической ИМС.