Лекция Взаимодействие электронов с твердым телом Классификация процессов взаимодействия электронов с веществом Временные стадии радиационных процессов

Упругое рассеяние. Растровая электронная микроскопия

• Изображение в отраженных электронах

• Изображение во вторичных электронах

• Контраст изображения, полученный в режиме отражённых электронов в растровой электронной микроскопии позволяет извлекать полезную информацию о различии среднего атомного номера исследуемого объекта.

• Коэффициент отражения электронов прямо пропорционален атомному номеру матрицы, поэтому более светлые области на изображении соответствуют фазам с большим средним атомным номером.

• Упругое рассеяние. Растровая электронная микроскопия

• Изображение, полученное на растровом электронном микроскопе в режиме отраженных электронов (слева) и вторичных электронов (справа).

• СЭМ - фотография частиц TiO2, полученных методом взрыва титановой проволоки в кислородсодержащей атмосфере (Соковнин С.Ю., Екатеринбург)

• Упругое рассеяние. Растровая электронная микроскопия

• Поверхность V2O5 после однократного облучения МИП с плотностью тока пучка
• 50 A/cm2 (Ковивчак В.С., Омск)

• 1. Упругое рассеяние. Просвечивающая электронная микроскопия

• Принципиальная оптическая схема ПЭМ

• Электроны. отклоненные атомами объекта на малые углы и прошедшие сквозь него с небольшими энергетическими потерями, попадают в систему магнитных линз, формирующую на люминесцентном экране (светлопольное) изображение внутренней структуры. При этом удастся достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличению до 1,5x106 раз.

• 1. Упругое рассеяние. Просвечивающая электронная микроскопия

• Принципиальная оптическая схема ПЭМ

• ПЭМ позволяет изучать внутреннюю структуру исследуемых металлов и сплавов, в частности:
• ♦ определять тип и параметры кристаллической решетки матрицы и фаз;
• ♦ определять ориентационные соотношения между фазой и матрицей;
• ♦ изучать строение границ зерен;
• ♦ определять кристаллографическую ориентацию отдельных зерен;
• ♦ определять углы разориентировки между зернами, субзернами;
• ♦ определять плоскости залегания дефектов кристаллического строения;
• ♦ изучать плотность и распределение дислокаций в материалах изделий;
• ♦ изучать процессы структурных и фазовых превращений в сплавах;

•