Лекция Взаимодействие электронов с твердым телом Классификация процессов взаимодействия электронов с веществом Временные стадии радиационных процессов

1. Упругое рассеяние. Радиационные дефекты

• Спектр поглощения NaCl, облученного 1, 3 и 5 импульсами

• 1. Упругое рассеяние. Растровая электронная микроскопия

• Схема образования вторичных сигналов при взаимодействии электронов зонда

• Отражение электронов.
• Отраженные электроны возникают при актах однократного упругого рассеяния под большими углами и актах многократного малоуглового упругого рассеяния, т.е. процесс отражения происходит за счет последовательности актов упругого рассеяния, в которых изменение направления движения достаточно для выхода электрона из образца
• Экспериментально установлено, что доля отраженных электронов может достигать 30% от изначального количества электронов пучка.

• В растровых электронных микроскопах электронный луч, сжатый магнитными линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует поверхность образца.
• Возникающие при электронной бомбардировке поверхности вторичные электроны (вторичная эмиссия электронов. Оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются различными детекторами и преобразуются в видеосигналы.
• Развертки лучей в колонне РЭМ и видеосигнал синхронны, поэтому на экране появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой площади объекта.

• 1. Упругое рассеяние. Растровая электронная микроскопия

• Регистрация вторичных электронов

• Упругое рассеяние. Растровая электронная микроскопия

• Вторичные электроны дают информацию о топографии (рельефе) поверхности
• Low energy electrons (~10-50 eV)

• Изображение, полученное во вторичных электронах

• Регистрация отраженных электронов
• Еlectrons energy up to 30-50 keV

•