Лабораторная работа №9 Исследование характеристики и параметров стабилитрона

Лабораторная работа № 9


Исследование характеристики и параметров стабилитрона


Цель работы: Изучение принципов действия, вольт - амперных характеристик (ВАХ) и параметров, влияния температуры на характеристики и параметры полупроводникового стабилитрона.


1. Подготовка к лабораторной работе:

1. 
   ВАХ полупроводникового стабилитрона показана на рис. 3.1 а, а его обозначение в электрических схемах на рис. 3.1. б.
   

2. 
   Рабочий участок обратной ветви при значениях обратного напряжения U_ct.min-U_ct.max соответствует электрическому (обычно лавинному) пробою. В режиме пробоя небольшое изменение обратного напряжения вызывает сильное возрастание обратного тока.
   

Рис. 9.1. ВАХ полупроводникового стабилитрона (а) и
его условное графическое обозначение (б).

1.3. В режиме стабилизации напряжения ВАХ стабилитрона описывается линейной функцией:

(3.1)

где R_Д – дифференциальное сопротивление диода в режиме стабилизации напряжения, U_Б – пороговое значение напряжения.

1.4. Перечень некоторых электрических параметров стабилитронов общего назначения:

U_ст – напряжение стабилизации;
U_ст – временная нестабильность напряжения стабилизации;
U_тўғ – постоянное прямое напряжение стабилитрона;
I_ст,мин – минимально допустимый постоянный ток стабилизации;
I_ст,_мах – максимально допустимый постоянный ток стабилизации;
I_тўғ,_макс – максимально допустимый постоянный прямой ток стабилитрона;
Р_макс – максимально допустимая рассеиваемая мощность стабилитрона;
r_ст – дифференциальное сопротивление при заданном (I^*c);
_ст – температурный коэффициент напряжения стабилизации.


(3.2)

Имеются следующие группы стабилитронов: общего назначения; термокомпенсированные прецизионные; импульсные; двуханодные; стабисторы.