Лабораториялық жумыс 7

ЛАБОРАТОРИЯЛЫҚ ЖУМЫС №12

ТИРРИСТОРЛАР

Тирристор-бул уш ямаса үшеўден көп р-n өткелге ийе болған ярымөткизгиш прибор, оның вольт-амперлик характеристикасында терис дифференциал қарсылық бар болып ол қосынды жаратыў ушын қолланылады.

Еки электродлы тирристорлар (динисторлар). Еки электродлы тирристор (динистор)-бул еки сыртқы шығыўға ийе тирристор.
Еки электродлы тирристордың структурасы элктрөткизгишлилиги избе-из болып келетуғын төрт қатлам кристалл ярымөткизгиштен турады. Бундай приборға сыртқы терис кернеў (туўры) n-типли электрөткизгишликке ийе шетки областқа (катодлы элктрод), оң кернеў р-типтеги электрөткизгишликке ийе шетки облсатқа (анодлы электродқа) бериледи. Бул жағдайда шетки р-n-өткеллер туўры бағытта қосылған болып, оларды эмиттерли өткеллер деп атайды; ортаңғы р-n өткеллер кери багытта қосылған болады, сонлықтан оны коллекторлы өткеллер деп атайды. Демек бундай приборда еки эмиттер областлар (n ҳәм р эмиттерлер) ҳәм еки базалық (р ҳәм n базалар) бар болады.
Сыртқы кернеўдиң көпшилик үлеси коллектор өткелге түседи, сонлықтан тирристордың вольт-амперлик характеристикасының кери шақабына уқсас болады (5.1 суурет). Тирристордың аноды менен катоды арасына түсирилген кернеўдиң артыүы менен эмиттер өткеллердеги туўры кернеўлерде артады. n-эмиттерден р-базаға инжекцияланған (өткел) электронлар коллектордың р-n-өткелине диффузияланады ҳәм коллектор өткел арқалы n-базаға өтеди. Тирристор структурадан электронлардың өте бериўине оң эмиттер өткелдиң киши потенциал барьери тосқынлық етеди (5.1 суурет). Сонлықтан n-базаның потенциал шуқырында пайда болған электронлар артықмаш терис заряд пайда етеди, ол оң эмиттер өткелдиң потенциал барьериниң бийиклигин кемейтип, тесикшелердиң р-эмиттерден n-базаға өткерип арттырады.
Инжекцияланған бул тесиклер коллектордың р-n-өткелине диффузияланады, бул өткел арқалы р-базаға өтеди. Тесикшелердиң тирристор структура арқалы еледе өте бериўине, сол тәрептеги эмиттер өткелдиң потенциал барьери тосқынлық етеди. Демек р-базада артықмаш оң зарядлар топланады, бул n-эмиттердеги электронлардың инжекциясының артыўын пайда етеди. Артықмаш оң зарядтың р-базада топланыўы ҳәм терис зарядлардың n-базада артықмаш топланыўы нәтийжесинде тирристорға Uвкл кернеў (қосыў кернеўи) түсирилгенде тирристор арқалы өтип атырған ток кескин артады ҳәм сол ўақыттың өзинде тирристорға түсирилип атырған кернеў кемейеди. Тирристордың вольт-амперлик характеристикасының екинши участкасы р-n-өткелдиң вольт-амперлик характеристикасының туўры шақабына уқсас. Екинши участкаға сәйкес келетуғын режимде коллектор өткелдеги кернеўде базаларда топланған зарядлардың көплигинен туўры кернеў болады.
Солай етип тирристор еки ҳалда бола алады: ажратылған ямаса жабық, бул жағдайда тирристорға түсирилген кернеў үлкен ал оннан өтип атырған ток аз, яғный үлкен қарсылыққа ийе ҳәм екинши ҳалы қосылған ямаса ашық ҳал, бунда тирристорға түскен кернеў аз бирақ тирристордан өтип атырған ток көп яғный қарсылығы аз болады.