Tajriba qurilmasi
Kollektor-emitter KE-tavsifnomalari. Endi ta’minlash manbai musbat qutbini kollektorga 100 Om li qarshilik bilan ulang, va manfiyq qutbini tranzistor emitteriga ulang.
Yuqorida o‘tkazilgan tajribani takrorlang hamda olingan natijalarni 3-jadvalga kiriting.
Barcha o‘tkazilgan tajribalarni BD 138 p-n-p tranzistor bilan ham bajaring. Olingan natijalarni 4, 5 va 6 jaadvallarga kiriting.
O‘lchash namunalari
Tranzistor NPN, BD 137
1-jadval: baza-emitter o‘tish.
Baza
B
|
Emitter
E
|
Tok
|
U BE
|
IB
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
bor
|
0,7
|
5
|
-
|
+
|
yo‘q
|
2
|
0
|
2-jadval: baza-kollektor o‘tish.
Baza
B
|
Kollektor
C
|
Tok
|
U BK
|
IB
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
bor
|
0,7
|
5
|
-
|
+
|
yo‘q
|
2
|
0
|
3-jadval. Kollektor-emitter o‘tish.
Kollektor
C
|
Emitter
E
|
Tok
|
UKE
|
IK
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
yo‘q
|
2
|
0
|
-
|
+
|
yo‘q
|
2
|
0
|
Natijalar tahlili
Tranzistorning baza-kollektor va baza-emitter o‘tishlari diodlar kabi ishlaydi va ular ishlashi o‘xshashdir. Bu holat 2-rasmda n-p-n va p-n-p tranzistorlar uchun ko‘rsatilgan.
n-p-n-tranzistor:
Bipolyar tranzistorning xarakteristikasini olish
Tajriba qurilmalari:
NPN-tranzistorning xarakteristikalarini olish
Kirish xarakteristikasi IB=f(UBE)
Boshqarish xarakteristikasi IC=f(IB)
Chiqish xarakteristikasi IC=f(UCE)
Nazariy qism
Tranzistorlar elektron sxemalarning eng muhim tarkibiy qismi hisoblanadi. Bipolyar tranzistorlarning elektrodlari emitter (E), baza (B) va kollektor (K) deb ataladi. Elektronlar va kovaklar bipolyar tranzistorda tok tashishda qatnashadi. Bipolyar tranzistor ketma-ket almashib keluvchi 3 ta n va p qatlamlardan tuzilgan bo’lib mos holda npn va pnp tranzistor deb nomlanadi. O’rtadagi qatlam baza deb ataladi. Baza emmitterdan chiqqan zaryad tashuvchilarni kollektorga o’tishini boshqaradi. Shuning uchun baza qatlami juda yupqa bo’ladi.
Tajribada NPN-tranzistor uning asosiy xarakteristikalari yordamida o’rganiladi.
Bu tajribada quyidagilar o’rganiladi:
kirish xarakteristikasi ya’ni baza toki IB ni baza-emitter kuchlanishi UBE funksiyasi sifatida
o’tish xarakteristikasi ya’ni kollektor-emitter kuchlanishi UCE o’zgarmas bo’lganda, kollektor toki IC ni baza toki IB funksiyasi sifatida
ya’ni kollektor tokini IC ni kollektor-emitter kuchlanishi UCE funksiyasi sifatida.
TAJRIBANI O’TKAZISH
Rasmda ko’rsatilgan sxemani yig’ing. Multimetrning o’lchash chegarasi va qutbiga e’tibor qarating. 1 kΩ qarshilik har bir zanjirda ishlatilishi lozim.
Quvvat manbai kuchlanishini 5 V ga qo’ying.
Kirish xarakteristikasi. IB va UBElarni o’lchash.
1 kΩ potensiometrni shunday o’rnatingki, bunda baza-emitter kuchlanishi UBE=0 Vbo’lishi kerak.
Potensiometerni ehtiyotkorlik bilan burib kattaliklar IB va UBElarni o’lchab 1-jadvalni to‘ldiring.
O‘tish xarakteristikasi: ICva IB, UCE paramterlarni o‘lchash
ICtokni o‘lchash uchun qo‘shimcha multimeterni ulang
UCEkuchlanishini (UBEkuchlanishi bilan birgalikda) belgilab uni 2-jadvalning sarlavhasiga yozib qo‘ying
1 kΩ potensiometrni IB baza tokining minimal qiymatigacha sozlang
Potensiometrni diqqat bilan burib IBtokini asta sekin oshirib boring. IB va IC kattaliklarni 2-jadvalga kiriting.
Chiqish xarakteristikasi: ICva UBE, IBparamterlarni o‘lchash.
1 kΩ potensiometrni 47 kΩ rezistor bilan almashtiring hamda kollektorga 220 Ω potensiometrni ulang.
IBtokni belgilab olib uni 3 - jadvalning sarlavhasiga yozib qo‘ying.
220 Ω potensiometrni UCE kollektor-emitter kuchlanishining minimal qiymatigacha sozlang.
Potensiometrni ehtiyotkorlik bilan burash orqali UCE kuchlanishi oshiring. UCE va IC kattaliklarni o‘lchab ularni 3-jadvalga kiriting.
Do'stlaringiz bilan baham: |