Laboratoriya ishi maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishdan maqsad

4- LABORATORIYa IShI
Maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish

Ishdan maqsad: Maydoniy tranzistordan yasalgan kuchaytirgich bosqichini tadqiq qilish va dinamik xarakteristikalari va differentsial parametrlarini o’lchash.

4.1– rasm. Maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasi.

Laboratoriya mashg’ulotida o’lchangan natijalar asosida 4.1 – jadval to’ldiriladi.

4.1 – jadval

α, град.	UЗИ, В	IС, мА	UСИ, В
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
330
360

O’lchangan qiymatlar asosida

• 
  ;
  
• 
  ;
  
• 
  ;
  
• 
  bunda
  
• 
  bunda
  
• 
  bunda
  

grafiklari chiziladi.



U_ZI= f(ωt)



U_SI = f(ωt)



I_S= f(U_ZI)_,

Olingan grafiklar asosida quydagi koeffitsientlari qiymatlarini hisoblab topiladi:

Xarakteristika tikligi

U_SI = const bo’lgandagi ;

Ichki (differentsial) qarshilik

U_ZI = const bo’lgandagi ;

Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti

I_S = const bo’lgandagi yoki .
Nazorat savollari
1. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tasvirlang va ishlash mexanizmini tushuntiring.

2. Maydoniy tranzistor ish rejimlarini aytib bering. Har qaysi rejimda tranzistor zatvori va stoki orasidagi kuchlanish munosabalari qanday bo’ladi ?

3. Maydoniy tranzistorlarda qanday differentsial parametrlar tizimi qo’llaniladi va nima sababli ?

4. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang va tushuntirib bering.

5. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasini tasvirlang va tushuntirib bering.

6. Turli temperaturalarda o’lchangan zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang. Bu xarakteristikalarda temperaturaga barqaror nuqtalarning mavjudligi nima bilan tushuntiriladi ?