Курсовик по физике, мой

8Расчет коэффициента передачи тока

Задача: для рассчитанного W_q определить коэффициент передачи тока ₀ и сравнить его с требуемым.

Коэффициент передачи тока можно записать как:
₀=₀ ₀ ^* (16).
Далее, рассчитываем коэффициент инжекции ₀:
₀=1 (17).
Для его определения необходимо найти:
L_нб= 105.2792 см (18),
₀=0.996913.
Далее находим коэффициент переноса ННЗ через базу:
₀ = 1 - =0.9996758 (19).
Теперь необходимо рассчитать коэффициент усиления ННЗ в коллекторе по формуле:
^* = 1 + (20),
^*  1.
и, наконец, мы можем рассчитать ₀:
₀ = ₀ ₀ ^* = 0.9905917

9Расчет емкостей и размеров переходов

Задача: Определить барьерные (зарядные) емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пластины, в которой формируется транзисторная структура.

1. Зарядная емкость коллекторного перехода. C_зк и величина поверхности коллекторного перехода S_к:
Коллекторный переход плавный, поэтому:
C_зк = S_к (21).
Известно, что:
C_зк = 2_*10^-12 пФ и S_к = 2.678418_*10^-4 см².
Исходя из данных значений C_зк и найдено максимальное значение S_кmax. Можно считать, что:
S_кmax = 0.9 c d (22).
Задаемся значением p = 150_*10^-4 см.
Добавив к нему 250 мкм находим с
с = (250 + 150) _*10^-4 = 400_*10^-4см

1. 
   Зарядная емкость эмитерного перехода. C_зэ и величина поверхности эмитерного перехода S_э:
   

Эмитерный переход резкий, поэтому:
C_зэ = S_э (23).
Для нахождения C_зэ необходимо найти _крп и А_э:
_крп = _т = 0.5136617В (24),
S_э = I_k (25).
Задаемся величиной U_эб = 0.2313273В, соответствующей
S_э = 3.769911_*10^-5см².
Теперь можно рассчитать C_зэ по формуле (26):
C_зэ =1,677762_*10^-11Ф.

3. Размеры эмитера и базы.

Размеры металлических выводов определяются величиной S_э и и глубиной вплавления электрода в кристалл h_э:
R_э = - h_э + (26).
Величина h_э выбирается в пределах h_э = 10..30мкм, выбираем h_э = 20мкм.
R_э = 20мкм.
Для центрального расположения выводов R_э = R_б, R_б = 20мкм.