Курсовик по физике, мой



Download 212,41 Kb.
bet1/9
Sana01.04.2022
Hajmi212,41 Kb.
#523864
TuriКурсовая
  1   2   3   4   5   6   7   8   9
Bog'liq
kursovik


- -

Саратовский Государственный Технический
Университет

Кафедра «Электронные приборы и устройства»


Курсовая работа


На тему:
«Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов»

Выполнил: ст. Козачук В. М.


Проверил: доц. Торопчин В. И.

САРАТОВ 1999г.


Оглавление.





Курсовая работа 1
Оглавление. 2
1.Введение 3
2.Цель задания 3
3.ОБЩАЯ ЧАСТЬ 3
2 Техническое задание. 3
3 Параметры, выбранные самостоятельно. 4
4 Перечень используемых обозначений 4
4.Выбор технологии изготовления транзистора 6
5 Сплавно-диффузионные транзисторы. 7
6 Структура сплавно-диффузионного p-n-p 8
5.ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ 9
7 Расчёт толщины базы и концентраций примесей. 9
8 Расчет коэффициента передачи тока 12
9 Расчет емкостей и размеров переходов 12
10 Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот 13
11 Расчет обратных токов коллектора 15
12 Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры 16
13 Расчёт эксплутационных параметров 16
6. Выбор корпуса транзистора 17
7. Обсуждение результатов 19
8. Выводы: 19
9.Список используемой литературы 21







  1. Введение


Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности.





  1. Download 212,41 Kb.

    Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish