Курсовая работа Основы радиоэлектроники «Биполярный транзистор как усилительный элемент»

Министерство высшего и среднего образования

«Ургенческий государственный университет»
Кафедра Физики

Курсовая работа

Основы радиоэлектроники «Биполярный транзистор как усилительный элемент»

Специальность: Физика

Автор работы
Студент 2 курса 194-группы ____________ М.А. Толкинович
(подпись)
Руководитель

Старший преподаватель ____________

(подпись)


СОДЕРЖАНИЕ

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
УСИЛЕНИЕ С ПОМОЩЬЮ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор – это полупроводниковый элемент с тремя выводами, которые называют базой (B), эмиттером (E) и коллектором (C). Различают дискретные транзисторы, предназначенные для монтажа на платах и заключенные в собственный корпус, и интегральные транзисторы, которые изготавливаются совместно с другими полупроводниковыми элементами на общей полупроводниковой подложке. Интегральные транзисторы снабжаются четвертым выводом. Он называется подложкой (S) и играет второстепенную роль в функционировании транзистора.
Диодные эквивалентные схемы. Биполярные транзисторы эквивалентны паре диодов с p-n переходами, включенными последовательно навстречу один другому. На рисунке показаны условные графические обозначения и диодные эквивалентные схемы n-p-n транзистора с общей p областью и pnp транзистора с общей n областью. Хотя диодные эквивалентные схемы транзисторов не способны отражать их функционирование, они дают представление о режиме работы транзистора и показывают, что его тип (n-p-n или p-n-p) и вывод базы можно определить с помощью пробника; гораздо труднее различать коллектор и эмиттер из-за симметричности структуры.
Условные графические обозначения и диодные эквивалентные схемы: a – n-p-n транзистор; б – p-n-p транзистор