Umumiy yarimo`tkazgichlar va yarimo`tkazgichlar o`stirish usullari
1. Choxralskiy usuli
Yarimo`tkazgich plyonkalar
Suyuq fazali epitaksiya
Fizik perkash va cho`kma
Plazma bilan stimulyatsiya qilingan kimyoviy cho`kma
Molekulyar nur epitaksiyasi
Choxralskiy usuli
Choxralskiy usuli
Erituvchi polikristalli qo`shilgan kremniy
Urug` kiritish
Kristall o`sishi boshlanishi
Kristallni tortib olish
O`stirilgan monokristall va eritmaning qolgani
Monokristallarini olishda eng ko`p ishlatadigan usullar – suyuklikdan tortib olish, Choxralsky va tigelsiz zonaviy suyultirish usullaridir. Birinchi usulda idishdagi kremniy suyuqligiga qarmoq vazifasini bajaradigan kremniy kristali tekkiziladi, so`ng uni aylantirib, yuqoriga muayyan tezlikda ko`tariladi. Suyulmaning qarmaq kristallgacha ilashgan qismi qarmoq bilan bir vaqtda ko`tarila boradi, suyulmadan yuqorida sovib, kristallanib o`sa boradi.
Choxralskiy usuli
Kristallarni o`stirishning epitaksial usullari ham majud. Bu usullar gaz yoki suyuq holatdagi moddani taglik jismlar ustiga monokristall yoki polekristall qatlam ko`rinishida o`tkazishdan iborat. Suyuq fazali epitaksiya usuli. Bu usul yuqoridagi usuldan prinsipial farq qilmaydi. Bu usul bilan asosan ko‘p fazali yarim o‘tkazgichli pe’zoelektrik monokristall plenkalari olinadi. Usulni qo‘llashning dastlabki qurilmalaridan biri rasmda ko‘rsatilgan.
Epitaksiya usuli
Sohali o‘stirish(rasmga qarang). Bu usulning CHoxralskiy usulidan farqi shundaki, bu usulda ikkita pech ishlatiladi, biri harorati TTer. Bu usulda erigan modda platinali tigl devorlari bilan kamroq kontaktda bo‘lgani uchun o‘stirilayotgan kristall kamroq ifloslanadi. Eriyotgan va erigan soha qalinligini va uning siljish tezligini o‘zgartirish imkoniyati mavjud. SHuning uchun bu usul pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli materiallarni yaxshiroq tozalash imkoniyatini beradi.
Sohali o‘stirish(rasmga qarang). Bu usulning CHoxralskiy usulidan farqi shundaki, bu usulda ikkita pech ishlatiladi, biri harorati TTer. Bu usulda erigan modda platinali tigl devorlari bilan kamroq kontaktda bo‘lgani uchun o‘stirilayotgan kristall kamroq ifloslanadi. Eriyotgan va erigan soha qalinligini va uning siljish tezligini o‘zgartirish imkoniyati mavjud. SHuning uchun bu usul pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli materiallarni yaxshiroq tozalash imkoniyatini beradi.
Nostexiometrik eritmalardan pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli kristallarni o‘stirish. Bu usul nisbatan universal usul bo‘lib, uning yordamida har qanday erish haroratiga ega bo‘lgan, hamda bug‘lar bosimi katta bo‘lgan pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli birikmalarini ham o‘stirishda qo‘llash mumkin. Bu usulda o‘stirish jarayonida eritmalar tayorlashda erituvchi neytral moddadan (o‘stirilayotgan material tarkibiga kirmagan moddadan) yoki birikma tarkibiga kiruvchi moddalardan ham foydalanish mumkin. Rasmga qarang.
Nostexiometrik eritmalardan pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli kristallarni o‘stirish. Bu usul nisbatan universal usul bo‘lib, uning yordamida har qanday erish haroratiga ega bo‘lgan, hamda bug‘lar bosimi katta bo‘lgan pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli birikmalarini ham o‘stirishda qo‘llash mumkin. Bu usulda o‘stirish jarayonida eritmalar tayorlashda erituvchi neytral moddadan (o‘stirilayotgan material tarkibiga kirmagan moddadan) yoki birikma tarkibiga kiruvchi moddalardan ham foydalanish mumkin. Rasmga qarang.
Yo‘naltirilgan kristallanish usuli bilan o‘stirishning asosiy afzalliklari. 1. Bu usul bilan o‘stirish nisbatan past haroratlarda olib boriladi. 2. Bug‘ bosimi katta bo‘lgan birikmalarni 1.punktni hisobga olgan holda o‘stirish mumkinligi. 3. Yuqoridagi usullarga nisbatan o‘stirish qurilmalarining konstruksiyasi nisbatan soddalashadi.
Yo‘naltirilgan kristallanish usuli bilan o‘stirishning asosiy afzalliklari. 1. Bu usul bilan o‘stirish nisbatan past haroratlarda olib boriladi. 2. Bug‘ bosimi katta bo‘lgan birikmalarni 1.punktni hisobga olgan holda o‘stirish mumkinligi. 3. Yuqoridagi usullarga nisbatan o‘stirish qurilmalarining konstruksiyasi nisbatan soddalashadi.
