Конспект лекций по дисциплине «электротехника, основы электроники и электропривод» Ташкент 2013

дырка. Электрическая проводимость, обуславленная упорядоченным перемещением 
дырок, называется собственной дырочкой проводимостью. 

---

Область многокристаллического полупроводника, в котором происходит смена 
проводимости с электронной на дырочную (или наоборот), называется электронно –
дырочным переходом (Р-п переходом) (рис 24).
Запырающий электронный слой
+++++ - + - - - - - 
+++++ - + - - - - - 
+++++ - + - - - - - 
+++++ - + - - - - - 
+++++ - + - - - - - 
Рис-24. Структура электронно – дырочного перехода р-п перехода. 
На границе р-п перехода в результате диффузии электронов из п – полупроводника в р – 
полупроводник и дырок из полупроводника в п образуется запирающий электр ический 
слой, имеющий повышенное сопротивление по сравнению с остальными объемами 
полупроводника (рис 20). Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление 
запираюшего слоя, это придаѐт электронно – дырочному переходу свойство однородной 
проводимости, которое широко используется в технике. 
2. Диоды, транзисторы и тиристоры. 
Полупроводниковым диодом называют двухэлектродный электронный прибор на 
основе полупроводникового кристалла. В полупроводниковых диодах используется 
выпрямительные свойство р – п – переходов.
Подключение напряжения к полупроводнику в прямом (а) и обратном (б) 
направлении представлены на рис 25. 
I
пp
mA
U
обр
В U
пр
В 
Д 
+ - + -
г) 
I
обр
mA 
а) б) в)
Рис 25. Подключения напряжения к к полупроводнику в прямом а) и обратном б) 
направлений. Вольт – амперная характеристика в) и условное обозначение г). 
Полупроводниковой диод является основным элементом выпрямительных устройств, 
служащих для преобразования переменного тока в постоянный. 
Транзистором называют электронный прибор на основе полупроводникового
кристалла, имеющий три вывода и предназначенный для преобразования и генерирования 
электрических колебаний. По конструкции транзистор состоить из
трех областей: из полупроводника одного типа проводимости и двух примыкающих
полупроводников с противоположным типом проводимости. Эти три области об- 
Р
п 
Р 
п 

---

разуют в одном монокристалле два электронно–дырочных перехода (рис26). Сред- ная 
область (оно обычно очень тонкая) называется базой, две другие – эмиттером и 
коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерно–дырочным пере-ом
 
Эмиттер База Коллектор К 
Э
К Б 
Эмиттерный Б Коллекторный Э 
переход переход 
К 
Вывод
Вывод Б 
эмиттера 
коллектора 
Вывод а) б) 
базы
Рис 26. Устройство и обозначения транзистора; а) Р – п – Р типа; б) п – Р – п типа. 
В транзисторе различают три значения тока: эмиттера I
э
, коллектора I
к
, базы I
б
и три 
значения напряжения в цепях: эмиттер – база (U
эб
), база – коллектор (U
бк
) и коллектор – 
эмиттер (U
кэ
). Эти величины связаны формулами: 
I
э
+I
к
+I
б
=0; U
эб
+U
бк
+U
кэ
=0 
Когда транзистор используется как усилитель, один электрод является входным, другой –
выходным, третий общим. При этом интерес представляют два тока: входной и выходной 
и два напряжения: входное и выходное. 
Возможны три схемы включения транзистора (рис 27): с общим эмиттером
(усилитель по мощности), общим коллектором (усилитель по току) и общей базой 
(усилитель по напряжению). 
U
вх 
 
U
вых
 
U
вых
U
вых
U
вх
U
вх
а) б) в) 
Рис 27. Основные схемы включения транзистора. а) с общей базой, б) с общем эмиттером, 
в) с общем коллектором. 
Р