|
Yupqa pardali IS -
parda qalinligi 1 – 2 mkmgacha.
Qalin pardali IS
-parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va undan katta
.
Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu saba
bli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.)
dan tashkil topadi.
Gibrid IS (yoki GIS)
pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinat
siyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxema. Diskret ko
mponentlarni osma elementlar deb atashadi. Qobiqsiz yoki mikrominiatyur metall
qobiqli mikrosxemalar gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar bo‘lib hisoblanadilar.
Asosiy afzalligi:
nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalar
ning keng turlarini yaratish imkoniyati;
keng nomentkaluturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoni
yati;
MDYA asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli mik
rosxemalar chiqishi.
Planar epitaksial texnologiya
Bipolyar va MDYa IMSlar ushbu texnologiyada yasaladi. Planar
texnologiyada n-p-n tranzistor tuzilmasini yasashda pturdagi yarim o‘tkazgichli
plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali
mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini SiO2o‘ynaydi. Bu pardada
maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida teshiklar shakllanadi. Kiritmalar kiritish
diffuziya yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi.Ionli legirlashda maxsus
manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanibasosga
tushadi va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadi Planar texnologiyada
yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr
sxemasi zamonaviy IMSlar qotishmali planar epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu
texnologiyada barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy
qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasiasosnikidan bo‘lgan qatlam
o‘stirishga aytiladi.Planar epitaksial texnologiyada yasalgantranzistorlar ancha tejamli,
hamda nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.
Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun
metallizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki
alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi.
Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi.
MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar. Yarim o‘tkazgichli IMS larbipolyar va MDYA
IMS larga ajratiladi. IMSlarda zatvori izolyasiyalangan va kanali induksiyalangan
MDYa tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari p- va n– turli bo‘lishi
mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas,balki kondensatorlar va
rezistorlar sifatida hamqo‘llaniladi, ya’ni barcha sxema funksiyalari birgina MDYa
tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar dielektrik sifatida SiO2 qo‘llanilsa, u holda bu
tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi.
MDYa – tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyasiya qilish
operatsiyasi mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–
biriga yo‘nalgan tomonda ulangan p-n o‘tishlar bilan izolyasiyalangan. Shu sababli
MDYa–tranzstorlar bir biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni
ta’minlaydi. Mikroelektronikada ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar ham
qo‘llaniladi.
Ko‘p emitterli tranzistorlar (KET) umumiy bazaqatlami bilan birlashtirilgan bir
kollektor va bir necha (8 10 gacha va ko‘p) emitterdan tashkil
topgan. Ular tranzistor tranzistorli mantiq (TTM) sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi.
Ko‘p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, KETtuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi,
lekin integral injeksion mantiq (I2M) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy
sxemalar yasashda qo‘llaniladi. Raqamli sxemalarning tasniflanishi. IMS bajarayotgan
asosiy vazifa –elektr signali (tok yoki kuchlanish) ko‘rinishida berilayotgan
axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret
(raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.
Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar analog integral
mikrosxemalar (AIS), raqamli signallarni qayta ishlaydiganlari esa – raqamli integral
sxemalar (RIS) deb ataladi.IMS larning,murakkablik darajasi komponent integratsiya
darajasi kattaligi bilan ifodalanadi.
Bu kattalik raqamli IMSlar uchunkristallda joylashishi mumkin bo‘lgan man
tiqiy ventillar soni bilan belgilanadi.
100 ta dan kam ventilga ega bo‘lgan IMSlar kichik integratsiya darajasiga e
ga bo‘lgan IMSlarga kiradi.
O‘rta darajali ISlar 102, katta ISlar 102
105, o‘ta katta ISlar 105
107
va ultra katta ISlar 107 darajadan ortiq ventillardan tashkil topadi. Bunday sinflanish
tizimi analog mikrosxemalar uchun ham qabul qilingan
IMSlar GOST 11.073.915.—8 bo‘yicha to‘rtta element yordamida markalanadi:
-birinchi element mikrosxemaning konstruktiv-texnologik gruppasini bildiradi:
1,5,6,7 yarim o‘tkazgichli mikrosxemalarni; 2,4, 8 duragay mikrosxemalarni; qolganlari
3 raqami bilan belgilanadi.
-ikkinchi element tartib nomerini;
-uchinchi element ishlatilish sohasini bildiradi.
Masalan, generatorlar — G, detektorlar — D; kommutator va kalitlar —K; ko‘p
funksiyali sxema — X; modulyatorlar — M; yarim o‘tkazgichli passiv elementlar
to‘plami — N; ikkilamchi tok manbai sxemalari — G va kuchaytirgichlar — U
(usilitel) harfi bilan belgilanadi;
-to‘rtinchi element bitta seriyadagi bir xil operatsiyani bajara oladigan
mikrosxemaning nomerini bildiradi. To‘rtinchi elementdan so‘ng, mikrosxemani bir
yoki bir necha paparametri bo‘yicha farqlovchi harf qo‘yiladi. Keng qo‘llaniladigan
integral mikrosxemalarda shartli belgilardan oldin K harfi qo‘yiladi. Mikrosxema
korpusining materiali va tipini ko‘rsatish uchun K harfidan keyin quyidagi harflar
qo‘yiladi: R—ikkinchi tip plastmassali korpuslar uchun; M—ikkinchi tip keramika,
metall-keramika va metallshishali korpuslar uchun; E—ikkinchi tip metall polimer
korpuslar uchun; A—to‘rtinchi tip plastmassa korpuslar uchun; I —to‘rtinchi tip
keramika-shisha korpuslar uchun. 1974 yilgacha ishlab chiqarilgan mikrosxemalarda
uchinchi element birinchi raqamdan so‘ng yozilgan.
Masalan: К174УН7 keng qo’llaniluvchi IMS(К), 174.seriya, yarimo’tkazgichi
texnologiya(I), kuchaytirgichlar,guruhu(У), past chastotali (H), ishlanma tartib raqami
7.
Do'stlaringiz bilan baham: |
