Kompyuter injiniring” qánigeligi sırtqi bolim 2-kurs 300-20 topar studenti Kaniyazov Seydullanıń “Elektronika hám sxemalar “ páninen óz betinshe

Mezaplaner tranzistorlar. Tranzistorlardin’ aktiv bo’legi meza-tuzilma
ko’rinisinde jaratiw ushin emitter ha’m baza belgili bo’limlerin ikkilemshi jediriw menen alinadi 5-suwret . Bul tranzistorlarni bir dana yarimo’tkizgish plastinkada bir texnologik siklda koplep mug’darda tayyorlaw mumkin. Sonin’ ushin parametrlerdegi pariqlar kem

5-súwret. Mezaplanar transistor dúzilisi
Meza planer tranzistorlardaǵı o’tiwler kishi siyimliqlar hám onsha úlken bolmag’an baza qarsılıgına iye. Bul tranzistorlardıń shegara qaytalıǵı bir qansha júz megagersga baradı.
MDYa tranzistorlar. Bunday tranzistorlarnin alıw ushın n- jerdegi kremniy sırtına qalıń SiO₂ o’stiriledi., keyin bólek bólimlerden oksid ketkazilib, o’rnina taǵı ja’ne SiO₂ qatlam o’stiriledi. (6, a-su'wret). Sol juqa SiO₂ sırtına polikristall kremniy perde o’tkiziledi hám fotolitografiya alıp barıladı (6, b-su'wret). Keyin paynoy hám derek tarawları ústindegi oksid jedirilip, sańlaqlar payda etinadi. Keyingi basqıshda derek hám paynov tarawlar diffuziya usılında legirlanadi (6, vrasm). Joqarı temperaturda o’tkizilgen nátiyjesinde derek hám paynov sırtı oksidlenip qaladı. Sol sebepli aqırǵı ámelde oksid qatlam jedirilip, (6, g-su'wret)
metall elektronlar o’tkiziledi. Zatvor retinde polikristall kremniydin’ qollaniliwi
shegara kernewin 0, 5- 0 Vge shekem azaytadı. Bul bolsa IMS larda úlken ábzallıqtı keltiredi.

6 -súwret. MDYa tranzistordıń aliniwi texnologiyası : 1-SiO₂ -qatlam ; 2-polikremniy; 3-legirlangan paynov hám derek tarawlar.
Epitaksil- planer tranzistorlarda kollektor eki qatlam joqarılıǵı bazaǵa tutasıwshı hám kishiomli kontaktiga tutasıwshı boladi.
Tranzistorlarda kishikomli elektromli epitaksial qatlam ostiriw menen alınadı.
Kishi omli taglik n^Q kollektor tarawin payda etedi. Baza hám emitter
tarawlar SiO₂ larda sańlaq arqalı ikkilanme diffuzia usılında tayarlanadı. Nátiyjede
n^Q –p-n-n^Q kólem qarsılıgı kishi epitaksil kollektor tarawinıń kishi “C” siyimlig’i hám kollektor o’tiw dárejede joqarı tesiliw kernewge iye bolg’an dreyf transistor alınadı . 7-súwret

7-súwret. Epitaksial planar transistor dúzilisi
Házirgi waqıtta óndiriste tiykarınan jup polyusli tranzistorlardı mezaplanar hám epitaksial-planar texnologiyalıq usıllardan paydalanılıp atır.
Mikroelektronikada transistor strukturaların alıwdıń aqırǵı texnologiyası keń
qollanilmaqta.
Hár qanday yarım o’tkizgishli ásbaptı tayarlawda yarım o’tkizgish
materialdıń parametrlerge talap qoyg’an halda ámelge asıriladı.
Odan son’ ásbaptı qollaniw talapqa ko’re tranzistordı tayarlawda
operatsiyalar izbe-izligi tiykarında tayarlanadı.

Paydalanilg’an a’debiyatlar

1. S.Z.Zaynobiddinov, A.Teshaboev. Yarimo„tkazgichlar fizikasi. -Toshkent, «O’qituvchi», 1999 y.
2. Teshaboev A., S.Zaynobidinov, I.N.Karimov, P.Raximov, R.Aliev.
Yarimo’tkazgichli asboblar fizikasi. -Andijon. 2002
3. Ye.I.Manaev. Osnovo‟ radioelektroniki. - Moskva. 1987
4. Teshaboev A., S.Zaynobidinov, Musaev E., Yarimo’tkizgishlar va
Yarimo’tkazgichli asboblar texnologiyasi. (o’quv qo’llanma), -Toshkent, 2005
5. N.Turdiev. Radioelektronika asoslari. - Toshkent.1992
6. M.Ye.Levinshteyn, G.S.Simin. Barero‟. - Biblioteka “Kvant”, vo‟pus.
65. M.1987