Классификация запоминающих устройств

RDRAM (Rambus DRAM)
Direct Rambus DRAM - это высокоскоростная динамическая память с произвольным доступом, разработанная Rambus Inc. Она обеспечивает высокую пропускную способность по сравнению с большинством других DRAM. Direct Rambus DRAMs представляет интегрированную на системном уровне технологию. Частота работы памяти равна 400 МГц, но за счет использования обеих границ сигнала достигается частота, эквивалентная 800 МГц.
DDR2 SDRAM
Конструктивно новый тип оперативной памяти DDR2 SDRAM был выпущен в 2004 году. Основываясь на технологии DDR SDRAM, этот тип памяти за счёт технических изменений показывает более высокое быстродействие и предназначен для использования на современных компьютерах. Память может работать на частотах в 200 МГц, 266 МГц, 333 МГц и 400 МГц. Время полного доступа — 25 нс, 11.25 нс, 9 нс, 7.5 нс. Время рабочего цикла — 5 нс, 3.75 нс, 3 нс, 3.5 нс.


5. Микросхемы динамических оперативных запоминающих устройств (ДОЗУ). Внутренняя структура, принципы функционирования, тактовая диаграмма ДОЗУ
Динамические ЗУ (DRAM) Данные хранятся в виде зарядов емкостей МОП-структур. Такой ЗЭ проще триггерного, что позволяет размещать на кристалле в 4-5 раз больше ЗЭ. ЗЭ:

Рис.7. Запоминающий элемент динамического ЗУ
Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор от линии записи-считывания или подключает его к ней. Сток транзистора не имеет внешнего вывода и образует одну из обкладок конденсатора (поликремний). Между обкладками расположен тонкий слой оксида кремния.
В режиме хранения транзистор заперт. При выборке данного ЗЭ на затвор подается напряжение, открывающее транзистор. Емкость Сз подключается к линии записи-считывания. И в зависимости от того, заряжена емкость или разряжена, по-разному влияет на потенциал ЛЗС.
Процесс чтения состояния ЗЭ
Перед считыванием производится предзаряд ЛЗС до уровня половины ЕП (Ucc/2).

Для считывания нуля справедливы следующие рассуждения. До выборки ЗЭ емкость ЛЗС имела заряд:

После выборки этот же разряд имеет суммарную емкость

Приравнивая правые части, получим:

Откуда:

(Сл»Сз) Считывание является разрушающим - подключение Сз к ЛЗС изменяет ее заряд.
Стараются увеличивать Сз. Для этого применяют диэлектрик двуокись титана. Он имеет s в двадцать раз больше, чем оксид кремния.
Т.к. емкость СЗ имеет саморазряд, необходимо периодически (с периодом 1-15 мс) восстанавливать напряжение на СЗ, или говорят регенерировать
Первые такие ЗУ, которые впоследствии стали называть асинхронными динамическими ОЗУ, выполняли операции чтения и записи, получив лишь запускающий сигнал (обычно, сигнал строба адреса) независимо от каких-либо внешних синхронизирующих сигналов. Диаграмма простых (не пакетных) циклов чтения и записи для таких ЗУ представлена на рис. 8, а) и 5, б) соответственно. Любой цикл (чтения или записи) начинается по спаду (фронту “1” →“0”) сигнала RAS#.