Kirish bob. Umumiy malumotlar

Mundarija
Kirish……………………………………………………………………………..
1-bob. Umumiy malumotlar……………………………………………………...
1.1 p-n o’tish bilan boshqariluvchi maydoniy tranzistorlar………………………
1.2. Kanali hosil qilingan va kanali induksiyalangan tranzistorlar………………..
2-bob. Asosiy qism ……………………………………………………………….
2.1. Maydoniy tranzistorlar parametrlari………………………………………….
2.2. Maydoniy tranzistorlarni uzib ulanish rejimida ishlashi……………………...
Xulosa……………………………………………………………………………...
Foydalanilgan adabiyotlar………………………………………………………….

1-bob.Maydoniy transistor

Elektrod toklari asosiy zaryad tashuvchilam ing kristall hajm idagi

elektr maydon ta’sirida dreyf harakatlanishiga asoslangan uch
elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan yarim o'tkazgich asbob
maydoniy tranzistor (M T) deyiladi. MT larda tok hosil bo‘lishida faqat
bir turli — asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar)
qatnashgani sababli ular ba’zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi.
MT larda, BT lardagi kabi tezkorlikka ta’sir etuvchi injeksiya va
ekstraksiya natijasida noasosiy zaryad tashuvchilam ing to 'planish
jarayonlari mavjud emas.
MT larda tok bo'ylama elektrmaydon ta’sirida erkin zaryad
tashuvchilam ing dreyf harakati tufayli hosil bo‘ladi. Tok hosil qiluvchi
o ‘tkazgich qatlam kanal deb ataladi va u n — kanalli va p — kanalli
bo‘lishi mumkin. Kanal chekkalariga elektrodlar o ‘rnatilgan bo‘lib,
ularning biri istok, ikkinchisi esa stok deb ataladi. E lektrodlardan qay
biri istok, qaysinisi stok deb olinishining aham iyati yo‘q. Z aryad
tashuvchilar qaysi elektroddan kanalga oqsa, o ‘sha elektrod istok deb,
zaryad tashuvchilarni kanaldan o ‘ziga qabul qiluvchi elektrod esa
stok deb belgilanadi. U chinchi elektrod — zatvor yordam ida kanaldagi
tok qiym ati ko‘ndalang elektr m aydon bilan boshqariladi.
Tuzilm asi va kanal sohasi o ‘tkazuvchanligini boshqarish usuliga
ko‘ra M T lam ing bir-biridan farqlanuvchi uchta turi bor.
1. Zatvori izolatsiyalangan MTlarda m etall zatvor va kanal orasida
yupqa dielektrik qatlam mavjud. Bunday M T m etall — dielektrik —
yarim o'tkazgich (M D Y ) tuzilm aga egaligi sababli M D Y — tranzistor
deb ham ataladi. U ning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan
turlari mavjud bo’iib : birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi
texnologik usul bilan hosil qilinadi, ikkinchisida esa — kanal sohasi
zatvorga m a’lum qutbli va qiym atli kuchlanish berilganda hosil b o ‘ladi
(induksiyalanadi). K o‘ndalang elektr m aydon yupqa dielektrik orqali
o 'tib , kanaldagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini boshqaradi.
2. Shottki barerli MTlarda metall bilan yarim o‘tkazgichning bevosita
k o n ta k ti zatv o r sifatida ishlatiladi. Ishchi rejimda to‘g‘rilovchi
kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi
yarim o‘tkazgichning kam bag'allashgan sohasi qalinligini o ‘zgartirib,
tok o'tkazuvchi kanal kengligi, kanaldagi zaryad tashuvchilar soni va
undan oqadigan tok qiym atini boshqaradi.
3. p —n oltish bilan boshqariluvchi M llarda zatvor sifatida kanal
o‘tkazuvchanligiga nisbatan teskari o'tkazuvchanlikka ega
yarim o‘tkazgichdan foydalaniladi. N atijada ular orasida p~n o ‘tish
hosil bo‘lib, ishchi rejim da ushbu p —n o ‘tish teskari siljitiladi. B unda
zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p~ n o ‘tishning kam bag‘allashgan
sohasi kengligini va shu bilan to’k o‘tkazuvchi kanal sohasining
ko‘ndalang kesim ini, undagi zaryadlar sonini o ‘zgartiradi va natijada kanaldagi to k qiym ati o ‘zgaradi. p —n o ‘tish kam bag‘allashgan sohasi kengligining o‘zgarishi, Shottki barer balandligi va ikkala tranzistorlam ing asosiy xususiyatlari bir xil bo‘lgani sababli, bundan buyon zatvor sifatida faqat p —n o ‘tishdan foydalanadigan MT larni o ‘rganamiz.
Elektr sxem alarda M Tning zatvori kirish elektrodi bo‘lib xizmat qiladi va kanaldan teskari ulangan p —n o ‘tish yoki dielektrik bilan izolatsiyalanadi. S huning uchun M T lar B T lardan farqli ravishda o'zgarm as to k d a katta kirish qarshiligiga (10⁸ /10¹⁰ O m ) ega.
M D Y — tra n z is to rla r in teg ral m ik ro sx e m a la rn in g , ay n iq sa
0 ‘K ISlarning asosiy elem entini tashkil etadi. U lar m ikroprotsessorlar, mikrokontrollerlar, axborot sig‘imi katta xotira qurilm alari, elektron soatlar, tibbiyot elektronikasi qurilm alari va boshqalarda q o ‘llaniladi. Katta quwatli MDY — tranzistor qayta ulovchi sxem alarda keng qo‘llaniladi. Boshqaruvchi elektrodi m etall-y arim o ‘tkazgich o 'tishdan tashkil topgan arsenid galliy asosida tayyorlangan tranzistorlar o ‘ta tez ishlovchi raqam li IM Slarni va 0‘YCH li qurilm alarni yaratish uchun ishlatiladi. K rem niy asosidagi p —n o ‘tish bilan boshqariluvchi M T lar past chastotali diskret elektron asbob sifatida q o ‘llaniladi.