Kafedra: “ttkt ” fakulteti “axborot xavfsizligi” kafedrasi

MUXAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI SAMARQAND FILIALI
Kafedra: “TTKT ” FAKULTETI
“AXBOROT XAVFSIZLIGI” KAFEDRASI

“Elektronika va sxemalar-2’’ fanidan

Ishi 3

Bajardi:20-07–guruh talabasi Nabiyev.G’

Qabul qildi: Urinov.J

3- LABORATOIYA ISHI

BTda yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishnining maqsadi: Sxemalarda bipolyar tranzistor (BT) bazasi umumiy (UB) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish; yuklama (omik) qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o’rganish.

BT yasalgan UB kuchaytirgich sxemasi

Sxemaning NI-Multisim dasturiy muhitda yeg’ilgan holati




Berilgan parametrlar

Талаба т/р	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15
RЭ(кОм)	1	0.5	1	0.6	0.7	0.8	0.9	1	0.8	0.7	0.8	0.5	0.6	0.65	0.55
RК(кОм)	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
IЭ(мА)	5	4	6	5.5	4.5	6.7	6.5	7	4.5	4.8	3.7	3.5	7.5	7.7	8
E2(В)	10	8	9	12	12	15	12	15	10	10	12	13	14	14	15

Variand №10
Berilgan parameter bo’yicha dastlabki hisoblashlar:

𝐼э(𝜔𝑡) = 𝐼э0 +0,8𝐼э0 sin(𝜔𝑡) = 𝐼э0(1+0,8sin(𝜔𝑡));

𝐼э(𝜔𝑡)1 = 4.8(1+0,8sin(0))=4.8;

𝐼э(𝜔𝑡)2 = 4.8(1+0,8sin(30))=6.72;

𝐼э(𝜔𝑡)3 = 4.8(1+0,8sin(60))=8.12;

𝐼э(𝜔𝑡)4 = 4.8(1+0,8sin(90))=8.64;

𝐼э(𝜔𝑡)5 = 4.8(1+0,8sin(120))=8.12;

𝐼э(𝜔𝑡)6 = 4.8(1+0,8sin(150))=6.72;

𝐼э(𝜔𝑡)7 = 4.8(1+0,8sin(180))=4.79;

𝐼э(𝜔𝑡)8 = 4.8(1+0,8sin(210))=2.88;

𝐼э(𝜔𝑡)9 = 4.8(1+0,8sin(240))=1.47;

𝐼э(𝜔𝑡)10 =4.8(1+0,8sin(270))=0.96;

𝐼э(𝜔𝑡)11= 4.8(1+0,8sin(300))=1.47;

𝐼э(𝜔𝑡)12= 4.8(1+0,8sin(330))=2.88;

𝐼э(𝜔𝑡)13= 4.8(1+0,8sin(360))=4.79;

𝜔𝑡, 𝑔𝑟𝑎𝑑	0	30	60	90	120	150
𝐼𝑒^(𝜔𝑡^), 𝑚𝐴	4.8	6.72	8.12	8.64	8.12	6.72
𝑈𝑒^(𝜔𝑡^), 𝑉	-0.815	-0.823	-0,828	-0.83	-0,828	-0.823
𝐼𝑘^(𝜔𝑡^), 𝑚𝐴	5.248	3.347	1.961	1.447	1.961	3.347
𝑈𝑘^(𝜔𝑡^), 𝑉	4.754	6.654	8.04	8.5	8.04	6.654

180	210	240	270	300	330	360
4.79	2.88	1.47	0.96	1.47	2.88	4.79
-0.814	-0.801	-0.784	-0.773	-0.784	-0.801	-0.814
5.258	7.148	8.544	9.04	8.544	7.148	5.258
4.743	2.853	1.457	0.952	1.457	2.853	4.743

O’lchash natijalari

Olingan natijalar asosida hisoblashlar:

• 
  Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koyffitsienti:
  

_{𝐾 =} ∆𝑈_{𝐾𝐵 =} 𝑈_КБ.мах−𝑈_{КБ.мин =} 8,5−0,952

= 132.42

^𝑈 ∆𝑈_𝐸𝐵
^𝑈ЭБ.мах^−𝑈ЭБ.мин

−0,773+0.83

• 
  Tok bo’yicha kuchaytirish koyffitsienti:
  

_{𝐾 =} ∆𝐼_{𝑘 =} ∆𝐼_К.мах−∆𝐼_{К.мин =} 9.04−1.447 _{= 0.988}

^𝐼 ∆𝐼_𝑒
^∆𝐼Э.мах^−∆𝐼Э.мин
8.64−0.96

• 
  Quvvat bo’yicha kuchaytirish koyffitsienti:
  

𝐾_𝑃 = 𝐾_𝑈 × 𝐾_𝐼= 130.83

• 
  Dinamik kirish qarshiligi:
  

_{𝑅 =} ∆𝑈_{𝑒 =} ∆𝑈_Э.мах−∆𝑈_{Э.мин =} −0,773+0.83

= 7.42

𝑑𝑖𝑛.𝑘𝑖𝑟
∆𝐼_𝑒
^∆𝐼Э.мах^−∆𝐼Э.мин

8.64∗10⁻³−0.96∗10⁻³

• 
  Dinamik chiqish qarshiligi:
  

_{𝑅 =} ∆𝑈_{𝑘 =} ∆𝑈_К.мах−∆𝑈_{К.мин =} 8.5−0.952

= 994

𝑑𝑖𝑛.𝑐ℎ𝑖қ
∆𝐼_𝑘
^∆𝐼𝐾.мах^−∆𝐼𝐾.мин

9.04∗10⁻³−1.447∗10⁻³

Uk, V

Olingan natijalar asosida grafiklar:

𝑰_𝒌 = 𝒇(𝝎𝒕);

Ie, mA
𝑼_𝒌 = 𝒇(𝝎𝒕);


Ue, V
𝑰_𝒆 = 𝒇(𝝎𝒕);

0 50	10	0 15	0 20	0 25	0 30	0 35	0 40

𝑼_𝒆 = 𝒇(𝝎𝒕);

Ik, mA



Ue, V
𝑰_𝒌 = 𝒇(𝑼_𝒌);

Ik, mA
𝑼_𝒆 = 𝒇(𝑰_𝒆).


𝑰_𝒌 = 𝒇(𝑰_𝒆);
𝑿𝒖𝒍𝒐𝒔𝒂
Men ushbu labarato’riyani bajarish paytida BT da yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish mavzusida ish olib borib, bipolyar tranzistorlar haqida ma’lumotlarga ega bo’ldim. Va uning ulanish sxemalarini ulab natija oldim va ilingan natijalarni grafiklar yotdamida tasvirladim va ularni bir biri bilan solishtirdim.

Nabiyev G’affor