Jizzax davlat pedagogika instituti fizika va texnologik ta’lim fakulteti

LABORATORIYA ISHI.№4.
Yassi tranzistor diodining tavsiflarini oʻrganish
Ishning maqsadi:
Manfiy-musbat-manfiy va musbat-manfiy-musbat tranzistorlarining turli tutashgan joylari uchun oʻtkazuvchan holat va berkituvchi yoʻnalishlarni oʻrganish.
Qisqacha nazariy qism:
Tranzistorlar elektron sxemotexnikada eng muhim yarimoʻtkazgichli komponentlardan biri hisoblanadi. Bir qutbli tranzistorlarda tok uzatishda ham elektronlar, ham kovaklar ishtirok etadi. Bir qutbli tranzistorlarning elektrodlari emitter, baza va kollektor deb nomlanadi. Tranzistor manfiy-musbat-manfiy va musbat-manfiy-musbat tartibidagi uchta manfiy oʻtkazgichli va musbat oʻtkazgichli qatlamlardan iborat. Oʻrtada joylashgan baza qatlami shunchalik yupqaki, birinchi tutashgan joyda hosil boʻladigan zaryad tashuvchilari ikkinchi tutashgan joyga oʻtishi mumkin.
Eksperimentda bir qutbli tranzistorlarning prinsipi oʻrganiladi va diod bilan solishtiriladi. Ushbu holatda manfiy-musbat-manfiy va musbat-manfiy-musbat tranzistorlari oʻrtasidagi farq aniq oʻrganiladi.

Kerakli jihozlar

1 ta DIN A 4 rastrli rozetka shchiti	576 74
1 ta STE 100 Ω, 2 W rezistori	577 32
1 ta STE BD 137, NPN tranzistori	578 67
1 ta STE BD 138, PNP tranzistori	578 68
1 ta oʻzgarmas/oʻzgaruvchan tok ta’minoti manbasi, 0...12 V/3 A	521 485
2 ta LDanalog 20 multimetri	531 120
3 ta 50 sm kabel juftligi, qizil/koʻk	501 45