J kamolov, II. Ismoilov

38-  §.  Yarim  o ‘tkazgichli  diod  va  tranzistor
Yarim  o ‘tkazgichli  diod  (ikki  elektrodli  lampa)  bu 
p —
r-o ‘tishga  ega 
b o ig a n   yarim  olkazgich  kristall b o ‘lib,  uning qaram a-qarshi  sohalariga 
zanjirga  ulash  uchun  kontaktlar ulangan.  Diodning  ulanish  sxemasi  77- 
a
 rasmda keltirilgan.  Rasmdan ko‘rinadiki,  kristallning elektron (/?jsohasi 
manbaning  manfiy, teshikli 
(r)
 sohasi  musbat qutbiga ulanishi kerak ekan.
Manba maydoni 
p — r-
 oiishdagi elektr maydonni susaytiradi. Natijada 
potensial  to £siqning  balandligi  pasayadi  (77- 
b
  rasm).  Tashqi  maydon 
ta ’sirida  elektronlar  va  teshiklarning  natijaviy  oqimlari  qaram a-qarshi 
tom onga  yoiialganligidan,  ular  hosil  qilayotgan  toklarning  yo‘nalishi 
bir xil b o iib , umumiy tok ulaming yig‘indisiga teng hamda tashqi maydon 
ortishi  bilan  tok  ham  keskin  ortadi.  Agar  kristallning  ulanish  qutblarini 
o ‘zgartirsak, yuqorida (37-§ da) ko‘rganimizdek. juda kichik miqdorda asosiy 
bo'lm agan zaryad tashuvchilar toki hosil b o ia d i, bu tok tashqi maydonga 
b o g iiq   emas.  Bunday  ulanishga 
teskari  ulanish
  deyiladi.  Demak, 
p  - r -
 
o ‘fishIi kristall bir tomonlama  о ltkazuvchanlikka  ega.
D io d n in g   v o lt- 
a m p e r  x a ra k te ris ti- 
kasini olish  uchun uni 
78-  rasmda  ko‘rsatil- 
g an d ek   u lay m iz  va 
tajribada olingan volt- 
a m p e r  x a ra k te risti- 
kasini  (79-rasm) qarab 
chiqamiz.  Sxemadagi 
К
  kalitn i  1  h o latg a 
ulab, kuchlanishni ort- 
tirsak, unga bog‘liq hol­
da tok kuchi ham ortdi.
Bu  chizmada 
Oab
 
egrilikdan iborat boiib.
К
1 
b)
v)
77-rasm.
И
100

---

uning 
ab
 qismi kuchlanisliga nisbatan tokning 
tczroq ortishini  ifodalaydi. 
Oa
 qismda Om 
qonunining bajarilayotgani ko‘rinadi.  Chunki 
u  to ‘g ‘ri  chiziqdan  iborat.  Endi  kalitni 
2
 
holatga  tashlab  qutblarni  o £zgartiramiz.  U 
vaqtda  asosiy  b o lm a g a n   zary a d larn in g  
mavjudligi  tufayli  tesknri  tok  hosil  b o ia d i. 
Xarakteristikada 
GA
 chiziqdir.  Kuchlanishni 
yana orttirsak, diod teshilib, gazlarda tok kabi 
kuchlanish  oil ishi bilan  tok  ham  ortadi.  Bu 
nuqta chizmada  Knuqtadir.
Tranzistor — uch elelclrodli lampa bo iib , 
ikkita г va bitJ a /; (BO-я rasm), yoki ikkita 
n
 bitta 
r
  sohadan  iborat  bo lg an   yarim  olkazgich 
plastinkadir. Ammo yakka soha o ‘rtada boiadi 
(80-b  rasm).  Tranzistorda  foydalaniladigan 
kristallar  uchta  sohadan  iborat  b oiadi:  1 — 
emitter,  2
— 
kollektor,  3—  baza  sohalardir.
 
Emitter — baza sohasi chegarasida hosil bolgan 
p — r
  olishga 
emitter о ‘tish,
 baza kol—lektor 
sohasi  chegarasidagi 
p—r
 o lish ga 
kol—lektor
о ‘tish
 deyiladi.
O datda  baza  elektronli  (n)  yoki  teshikli 
(r)  olkazuvchanlikka  ega  b o ia d i.  Bazaning 
tuzilishiga qarab tranzistorlar 
r—p—r
 yoki 
p —
 
r  —p
  tip d a b o lish i  mumkin. Ammo  ishlash 
prinsipidafarqi yo‘q.
1 0  1

---

0
 
S 
к
81-rasm .
Tranzistor  81 
-a,  b
  rasmda  koisatilganidek  ulansa,  emitter  o'lishning 
elektr maydoni kuchsizlanib, kollektor otishning elektr maydoni kuchayadi. 
Kollektordagi kuchlanish o kzgarmas bo‘lganda kollektor toki orttirmasi 
A
I H
  ning emitter toki orttirmasi  A/ э  ga b o ‘lgan nisbati tranzistoming 
kuchaytirish  koeffitsiycnti
  deyiladi.  Bu  esa  tranzistorlarning  m uhim  
param etrlaridan biridir.
Yarim  o ‘tkazgich  qurilmalarning  eng  katta  muvaffaqiyati  ularning 
ixchamligi,  yengilligi,  m ustahkamligi,  arzonligi  kabialar  boTib,  ular 
radiotexnikada toklami to ‘g'rilashda. yuqori chastotali  elektr tebranishlami 
hosil  qilishda,  elektr  tebranishlam i  kuchaytirish  va  generatsiyalashda, 
hisoblash mashinalarida va boshqa joylarda ishlatiladi.