Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

1.2. Формирования периодических структур на поверхности системы 
SiO
2
/Si при воздействии ультракоротких лазерных импульсов 
Ниже описаны результаты экспериментов, полученные в разных 
работах [54,55].

---

23 

---

24 
Похожие результаты получены на Ti:sapphire лазерной установке [56] c 
длинной волны 800 нм, длительностью импульса 120 фс, частотой от 1 до 
1000 Гц. На поверхность кремния лазерный пучок фокусировался в пятно 
диаметром 60 мкм. 

---

25 
Динамика 
зависимости 
периода 
ряби 
и 
диаметра 
микроструктурированной области от числа импульсов представлена на 
рис. 1.6. 

---

26 
В результате экспериментов в работах [57,58] подтверждают, что при
В работе, проведенной исследователями в работах [59,60] хорошо 

---

27 
лазерного излучения небольшие конические структуры появляются на дне 
кратера, формируя начальные стадии микроколон (Рис. 1.7 «б», «в»).

---

28 
быть 
использованы 
для 
создания 
нанометровых 
самостоятельных 
упорядоченных структур. 
Сочетание самостоятельного упорядочивания и уникальных свойств 
материала сделает лазерное микроструктурирование полупроводников 
ценным 
инструментом 
для 
будущего 
прогресса 
микроэлектронных 
устройств. 
1.3. Электрофизические свойства наноструктурированного кремния
Результаты 
проводимых 
в 
течение 
последнего 
десятилетия 
исследований кремниевых наноструктур, формируемых в слоях SiO
2
/Si, 
существенно изменили представления о возможности использования 
кремния в оптоэлектронке и нано- микроэлектронике. Поэтому интерес 
исследователей в этом направлении становится все более активным. Ниже 
приведены некоторые электрофизические свойства наноструктурированного 
кремния в системе SiO
2
/Si. 

---

29