Islom karimov nomidagi toshkent davlat tehnika universiteti elektronika va avtomatika fakulteti

Optronlar. Kirish elektr signali ta’sirida yorug‘lik diodi yorug‘lik nurlatadi, foto qabul qilgich (fotodiod, fotorezistor va x.z.) esa yorug‘lik ta’sirida tok generatsiyalaydi.

a) b) v) g)

11-rasm. Fotodiodlar.
11-rasmda yorug‘lik diodi va fotodiod (a), fototranzistor (b), fototiristor (v), fotorezistor (g) dan tashkil topgan optoparalar keltirilgan. Optoparalar raqamli va impuls qurilmalar, analog signallarni uzatish qurilmalari, yuqori voltli manbalarni kontaktsiz boshqarish avtomatik tizimlari va boshqalarda ajratuvchi element sifatida qo‘llaniladi.

Amaliy qisim

Kirishlar			Chiqishlar
X2	X1	X0	Y0	Y1
0	0	0	1	1
0	0	1	0	1
0	1	0	0	0
0	1	1	0	1
1	0	0	1	0
1	0	1	0	0
1	1	0	1	1
1	1	1	0	1

Y₀₌

У₁₌учун

Xulosa

Yarimo'tkazgich elementlari elektr signallarini o'tkazish davrlarida qo'llaniladi. Universal imkoniyatlar va katta tasnif bipolyar tranzistorlardan keng foydalanishga imkon beradi. Kommutatsiya sxemalari ularning funktsiyalari va ish rejimlarini aniqlaydi. Ko'p narsa, shuningdek, xususiyatlarga bog'liq.

Bipolyar tranzistorlarning asosiy kommutatsion zanjirlari kirish signallarini kuchaytiradi, hosil qiladi va o'zgartiradi, shuningdek elektr o'tkazgichlarini ham o'zgartiradi.

Operatsion printsipiga va dizayn xususiyatlariga qarab, tranzistorlar ikkita katta sinfga bo'linadi: bipolyar   va maydon.

Bipolyar tranzistor   - Bu o'zaro ta'sir o'tkazuvchi pn va uch yoki undan ortiq terminallarga ega yarimo'tkazgichli qurilma.

Tranzistorning yarimo'tkazgich kristalli elektr o'tkazuvchanligining o'zgaruvchan turlariga ega uchta mintaqadan iborat bo'lib, ular orasida ikkita rn-tashish. O'rta mintaqa odatda juda nozik (mikron fraktsiyalari), shuning uchun rn- o'tishlar bir-biriga yaqin.

Elektr o'tkazuvchanligining har xil turlariga ega bo'lgan yarimo'tkazgichli mintaqalarning o'zaro almashish tartibiga qarab, tranzistorlar ajralib turadi rr   va p-p-pturlari .  

Foydalanilgan adabiyotlar

1. S.Z.Zaynobiddinov, A.Teshaboev. Yarimo„tkazgichlar fizikasi. - Toshkent, «O„qituvchi», 1999 y.

2. Teshaboev A., S.Zaynobidinov, I.N.Karimov, P.Raximov, R.Aliev. Yarimo„tkazgichli asboblar fizikasi. -Andijon. 2002

3. Ye.I.Manaev. Osnovo‟ radioelektroniki. - Moskva. 1987

4. Teshaboev A., S.Zaynobidinov, Musaev E., Yarimo„tkazgichlar va yarimo„tkazgichli asboblar texnologiyasi. (o„quv qo„llanma), - Toshkent, 2005

5. N.Turdiev. Radioelektronika asoslari. - Toshkent.1992

6. M.Ye.Levinshteyn, G.S.Simin. Barero‟. - Biblioteka “Kvant”, vo‟pus. 65. M.1987