Интегральные микросхемы


по функциональному назначению



Download 6,84 Mb.
bet2/5
Sana06.03.2022
Hajmi6,84 Mb.
#484843
1   2   3   4   5

5 по функциональному назначению

  • 5 по функциональному назначению
  • Модуляторы
  • Детекторы
  • Генераторы
  • Триггеры
  • Усилители и др.
  • ПРИМЕРЫ
  • Аналоговые
  • Операционные усилители
  • Компаратор
  • Генераторы сигналов
  • Фильтры (в том числе на пьезоэффекте)
  • Аналоговые умножители
  • Аналоговые аттенюаторы и регулируемые усилители
  • Стабилизаторы источников питания
  • Микросхемы управления импульсных блоков питания
  • Преобразователи сигналов
  • Схемы синхронизации
  • Различные датчики (температуры и др.)
  • ЦИФРОВЫЕ
  • Аналогово-цифровые схемы
  • 6 по конструктивно- технологическому признаку:
  • Полупроводниковые
  • Пленочные
  • Гибридные
  • Совмещенные
  • По конструктивно- технологическому признаку:
  • Полупроводниковые
  • Пленочные
  • Гибридные
  • Совмещенные
  • Полупроводниковые
  • все элементы выполнены в объеме полупроводника
  • по способу изоляции
  • Изоляция p-n переходом (простота реализации, но ограничена по частоте до 1МГц,
  • Изоляция диэлектриком (сложная, дорогая, но в 100 раз выигрыш по частоте)
  • На СВЧ воздушная
  • изоляция

Особенности формирования элементов

  • Особенности формирования элементов
  • Биполярный транзистор четырехслойный
  • эмиттер - n+; база - p; коллектор - n и n+
  • коллектор 2-х слойный для уменьшения Rк при высоких Кт
  • Конденсаторы–емкость p-n перехода
  • Резистор – базовая область ограниченная или неограниченная эмиттером
  • Диод - ЭП для стабилитрона; КП –выпр. диод
  • ДОСТОИНСТВА
  • Высокая степень интеграции
  • Высокая надежность
  • Низкая стоимость
  • Высокое качество активных элементов
  • недостатки
  • Ограниченный диапазон номиналов пассивных элементов
  • С-30…100пФ; R-до 10кОм неограниченный Э, до 100 кОм ограниченный эмиттером
  • Наличие паразитных межэлементных связей

Пленочные

  • Пленочные
  • Все элементы представляют собой пленки, нанесенные на диэлектрическое основание (пассивную подложку). Различают тонкопленочные (0,1 мм) и толстопленочные ИМС (более 20мм).
  • Конструкция пленочных резисторов:
  • а — полоскового; б — типа «меандр»; в — составного;1 — тело резистора; 2 — пленочный проводник; 3 — контактные области;4 — диэлектрическая подложка.
  • Гибридные
  • Пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными.
  • Достоинства гибридных
  • любые номиналы пассивных элементов;
  • малая температурная зависимость параметров;
  • простота проектирования
  • Недостатки
  • Малая степень интеграции
  • Невысокая надежность

Download 6,84 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish