Innovative solutions for the use of new types of alternative energy sources and energy saving devices

Foydalanilgan adabiyotlar: 
1.
T.G. Nanov, S.P. Yordanov, 
Ceramic Sensors: Technology and Applications
, Chapter 5 
Thermistors, CRC Press, 1996, pp. 193-203. 
2.
J. Park, “Microstructural and electrical properties of Y0.2Al0.1Mn0.27−
x
Fe0 
16Ni0.27−
x
(Cr2
x
)O
y 
for NTC thermistors”, 
Ceramics International, 
vol. 41, no. 5, pp. 6386-
6390, 2015. 
3.
R.C. Buchanan, 
Ceramic Materials for Electronics: Processing, Properties and Applications 
(Electrical Engineering & Electronics), Marcel Dekker Inc; Enlarged 2nd edition, 1986, pp. 
125-162. 
4.
T. Yang, B. Zhang, Q. Zhao, P. Luo, A. Chang, “New high temperature NTC thermistors based 
on the Mg(Al1−
x
Cr
x
)2O4 ceramics”, 
Journal of Alloys and Compounds
, vol. 685, pp. 287–293, 
2016. 
5.
Y. Luo, X. Liu, “High temperature NTC BaTiO3-based ceramic resistors”, 
Materials Letters
, 
vol. 59, no. 29-3, pp. 3881 – 3884, 2005. 
6.
S. Jagtap, S. Rane, S. Gosavi, D. Amalnerkar, “Preparation, characterization and electrical 
properties of spinel-type environment friendly thick film NTC thermistors”, 
Journal of the 
European Ceramic Society, 
vol. 28, no. 13, pp.
ZATVOR BILAN TO‘LIQ O‘RALGAN MAYDONIY TRANZISTORDA 
ZATVOR OSTI OKSID UZUNLIGINI O‘Z-O‘ZIDAN QIZISH 
EFFEKTIGA TA’SIRINI MODELLASHTIRISH 
1
Abdikarimov H. E., Atamuratova Z. A., magistr
Hayitov D. Sh., 
magistr
Egamberganova Ch. D. 
talaba Sobirova N. D. 
Urganch davlat universiteti,
1 
 
Zamonaviy yarimo‘tkazgichli elektronikasining asosiy elementlaridan biri bu 
maydoniy tranzistorlardir. Zamon talablariga asosan elektron qurilmalarining 
energiya iste`molini kamaytirish, integral sxemalarning integratsiya darajasini va 
funksionalligini oshirish bugungi kunda katta tezlikda amalga oshirilmoqda. Bu esa 
integral sxemalarda elementlarni geometrik o‘lchamlarini keskin kamaytirilishni 
talab qilinadi. Shu maqsadda maydoniy tranzistorlar yaratilishidan boshlab uning 
o‘lchamlari uzliksiz kamaytirilib kelinmoqda[1-2]. Ammo shu bilan birga 
o‘lchamlar kamayishi bilan tranzistorni parametr va xarakteristikalari turli 
degradatsiyaga uchrab keladi. Shu degradatsion effektlarni oldini olish uchun 
tranzistor strukturalari modifikatsiyalanadi. Jumladan dastlab yaratilgan yassi 
maydoniy tranzistorlar o‘rniga vertikal tranzistorlar va hozirgi kunda esa zatvor 

---