Iii bob. Yarimo’tkazgich moddalar

3.3.4. Galliy arsenidi (GaAs) 

Galliy  arsenidi  suv  bilan  ta’sirlashmaydi,  kislotalar  bilan  faol  ta’sirlashib, 

zaharli 

3

AsH

  arsin  modda  ajratadi.  Galliy  arsenid    eruvchanligi  kislotalar 

aralashmasidagidan ancha katta bo’ladi. Uning eruvchanligi tuz kislota eritmasida 

5

10

2





 

2

/ sm

mg

  soat,  tuz  va  nitrat    kislotalar  suvli  aralashmasida  (1:1:1)  –  60 

2

/ sm

mg

∙

soat

, nitrat va fosfid kislotalar suvli eritmasida 1200 

2

/ sm

mg

∙

soat

 gacha.  

300

0

C  gacha  qizdirilganda  GaAs  oksidlanmaydi,  600

0

C  dan  boshlab  u 

parchalanib,  arseniyni  ajratadi.  Suyuq  GaAs  juda  faol.  GaAs  texnologiyasida 

sintetik kvars (

2

SiO

) eng ko’p qo’llaniladi. 

 

GaAs ning zichligi 5.32 

3

/ sm

g

, suyulish temperaturasi 1238

0

C.  

 

 

Legirlanmagan  GaAs  monokristallari  n-tur  o’tkazuvchanlikka  ega,  bunda 

n<6

3

16

10





sm

  va  harakatchanlik 

Vs

sm /

4200

2





(300  K)  n-GaAs  monokristallarni 

Te  yoki  Sn  bilan  legirlanadi.  p-GaAs  monokristallarni  Zn  bilan  legirlanadi.  Ko’p 

holda  GaAs  (yarim-izolyatsiyalovchi)  monokristallarni  xrom  Sr  bilan  legirlansa, 

ularning solishtirma qarshiligi 

5

10

1



 dan 

Om

7

10

1



· 

sm

 gacha bo’ladi. 

GaAs kristallarni [111] va [100] yo’nalishlarda o’stiriladi.