Ii bipolar junction transistor introduction

Emitter Efficiency:- 
(γ) 

The emitter, or injection, efficiency γ is defined as
γ ≡ Current of injected carriers at J
E
Total emitter current 
Transport Factor:- 
(β
*
) 

The transport factor β
*
is defined as 
β
*
≡ injected carrier current reaching J
c
injected carrier current at J
E 
In the case of a p-n-p transistor we have
β
*
= I
pC
/ I
pE
Large 
– signal current Gain:- (α) 

We define the ratio of the negative of the collector-current increment to the 
emitter-current change from zero (cutoff) to I
E
as the large-signal currant gain 
of a common-base transistor, or 
α = - I
c
– I
co
/ I
E

since I
c
and I
E
have opposite signs, th
en α, as defined, is always positive 
Typical numerical values of α lie in the range of 0.90 to 0.995. 

---

α = I
pC
/ I
E 
= I
pC
/ I
pE
. I
pE
/ I
E 
α = β
*
γ
I
C
= - 
α I
E
+ I
co
I
c
= - 
α I
E
+ I
co
(1- e
Vc
/
Vr
)
Description of Ebers-moll model 

The current equations derived above is interpreted in terms of a model 
shown in the figure.

This model of transistor is known as Eber Moll model of transistor. From the 
diagram applying Kirchhoff’s current law at the collector node, we get 
I
C
= -
α
N
*I
E
+ I
CO
*(1 
– e
V
CB
/V
t
) 

Where