107
(
) (
)
Bunda
V
o
– tashqi manba kuchlanishi va V
1
, V
2
lar p – GaAs hamda n – Ge
geteroo‘tishdagi kontakt sohalariga tushayotgan kuchlanish, N
d
, N
a
– GaAs va Ge
donor hamda akseptor kirishma atomlar konsentratsiyasi. Geteroo‘tishga musbat
yo‘nalish berilganda, ya‘ni manbaning << + >> qutbi Ge kristalliga << - >> qutbi esa
GaAs kristalliga ulanganda VAT si ifodasi quyidagicha bo‘ladi:
(
) (
)
Bunda tok eksponensial qonuniyat bilan oshadi, ammo amaliyotda bu munosabat
geteroo‘tishdagi tunnel toklari va rekombinatsiya hisobiga o‘zgarishi mumkin.
Do'stlaringiz bilan baham: