I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

Qalin oksidli p- MOYa-IS va n-MOYa-ISlarni tayyorlash texnologiyasi 
 

---

 
158 
p-kanalli  MOYa-IS  lar  planar  texnologiya  asosida  tayyorlanadi.  Lokal 
diffuziya va qalin oksid qatlam o‘stirishni bir vaqtda yoki alohida  - alohida bajarish 
mumkin. Ikkinchi holda oksid qatlam bug‘-gaz muhitida o‘stiriladi. 
 
 
 
a)  To‘siq  vazifasini  bajaruvchi 
oksid o‘stirish 
b)  Fotolitografiyad
an so‘ng                                                            
c)  Lokal 
difuziya 
qalin oksid qatlam 
o‘stirish                                      
 
 
 
d)  Yupqa  zatvor  osti  oksidini 
o'stirish                                                                                                                                               
      g) Fotolitagrafiya 
е) Metallash 
9.16 rasm 
 
Istok va stok sohalari ustidagi oksid qalinligi  — 1mkm, boshqa sohalarida  — 
1,5 mkmga teng. 
Texnologiya jarayonining murakkab qismi yupqa oksid qatlam o‘stirish uchun 
darcha  ochish  (2-FL)  va  qalin  oksidni  qatlamni  yemirish  (3-FL)  hisoblanadi.  Metall 
qatlamning  tagida  qalin  oksid  hosil  bo‘lgani  uchun  IS  parametrlari  sezilarli 
yaxshilanadi.  Lekin,  qalin  oksid  qatlam  bo‘lganda  istok  va  stok  sohalarining  zatvor 
bilan  qoplanishini  juda  kichik  qilib  olish  qiyin,  chunki  zatvor  bilan  kanalni 
moslashtirish bu erda FL bilan bajariladi va 
 1) istok va stok yon tomonlaridagi r-n-o‘tish sohalari o‘rni noaniq 
 2) qalin oksid qatlamini yemirishda aniqlik yo‘qoladi ( 2-FL). 
Zatvor  osti  oksidining  qalinligi  0,1  mkm  bo‘lganda  kanal  bilan  zatvorning 
qoplanishi  2-3  mkm  bo‘ladi.  Bu  murakkabliklarga  qaramay  p-MOYa-IS  larni 
tayyorlash texnologiyasi nisbatan oddiy, yaroqsiz ISlarni chiqishi kam, tannarxi arzon 
hisoblanadi. p-MOYa-IS lar kalkulyatorlarda ko‘p ishlatiladi. 
Unga 
nisbatan 
n-MOYa-IS 
larni 
tayyorlash 
texnologiyasi 
murakkabroq.Chunki,  hosil  bo‘ladigan  n-invers  sohalar  elementlarning  o‘zaro 

---

 
159 
izolyatsiyasiga  va  tranzistorlarning  ostona  kuchlanishi  (porogovoe  napr.)ga  ta‘sir 
qilmasligi uchun maxsus choralar ko‘riladi. 
n- MOYa-IS texnologiyasining p-MOYa-IS nikidan farqi, istok va stok sohalar 
hosil  qilingandan  so‘ng,ularning  sirt  tomonidan  bor  ionlari  implantatsiya 
qilinadi.Qalin oksid qatlamini o‘stirish jarayonida bor ionlari faollashib n
+
-soha hosil 
qiladi.Bu  soha  oksid  qatlam  ostida  p-  invers  sohani  hosil  bo‘lishiga  yo‘l  qo‘ymaydi 
va elementlar bir-biridan izolyatsiyalanib turadi.