I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

 
9.14  § Metall - Oksid - Yarim o’tkazgich (MOYa) - strukturali asosidagi ISlarni 
texnologiyasi 
 
MOYa-  IS  planar  va  epitaksial  -  planar  texnologiya  yordamida  tayyorlanadi. 
MOYa  tranzistorlar  konsruksiyasi  sodda  va  elementlari  o‘z  –  o‘zidan 
izolyatsiyalangan bo‘lgani uchun umumiy texnologik jarayonlar soni, bipolyar IS lar  
texnologiyasidagiga  nisbatan  kam  bo‘ladi.  Bu  esa  ishlab  chiqarish  unumdorligi 
oshishiga (yaroqsiz IS larni soni kamayishiga) va IS lar narxining arzonlashuviga olib 
keladi. 
MOYa IS larining texnologiyasida eng murakkab va muhim jarayonlar: 
-Zatvor osti oksidini hosil qilish, 
- Zatvor bilan kanalni aniq moslashtirish, 
- Kanali juda qiska bo‘lgan MOYa IS lar tayyorlash. 
Zatvor osti oksidi-MOYa IS arning faol elementining asosiy qismi bo‘lib, unga 
qo‘yiladigan  talab  to‘siq  sifatida  ishlatiladigan  oksid  qatlam  SiO
2 
ga  quyiladigan 
talabdan ancha yuqori bo‘ladi, masalan:  
- Elektr maydonga chidamliligi katta bo‘lishi kerak 
-  SiO
2
  hajmida  va  Si  -  SiO
2 
tizim chegarasida zaryadlar miqdori kam bo‘lishi 
kerak.  
-Xossalari o‘ta turg‘un bo‘lishi kerak va boshqalar. 
Kremniyga  odatda  <  100>  kristall  tekisligida  sirt  zaryarlar  zichligi:  1.4  10
--8
 
kl/sm
2
, ga< 111>da 8∙10
8
 kl/sm
2
 ga teng bo‘ladi. Shuning uchun, Si li MOYa - IS ni 
<100>tekislikda hosil qilish maqsadga muvofiqdir. 
Zatvor istok va stok sohalarini qoplamasligi kerak, aks holda parazit sig‘imlar 
hosil  bo‘lib  IS  ning  tezkorligini  pasaytiradi.Agar  zatvor  uzunligi  kanal  uzunligidan 
kalta bo‘lsa istok - stok zanjiri uzilib qo‘yadi.Kanal uzunligiga tok tashuvchilarning 
istokdan  stokga  borish  vaqti,  ya‘ni  MOYa-ISning  tezkorligiga  bog‘liq  bo‘ladi. 
MOYa-IS  lar  tezkorligi  oshsa  ularning  qo‘llanish  sohasi  ko‘payadi  va  bitta  element 
egallagan  joyning  kamayishi,texnologiyaning      soddaligi  IS  integratsiya  darajasini 
keskin  orttirish  imkonini  beradi.MOYa-strukturalar  katta  va  o‘ta  katta  IS  larning 
asosini tashkil qiladi.