I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

Deionlashgan suv olish texnologiyasi 
Plastinkani tozalash jarayonida har xil suvlar ishlatiladi:  
distillangan suv 

 =  200 kOm sm  vodoprovod suvini bug‘latib va qayta sovitib 
olinadi. 
bidistillangan  suv 

=500  kOm  sm  .  Distillangan  suvni  bug‘latib  qayta  sovitib 
olinadi. 
Ionlardan  tozalangan  (deionli)  suv   

=20  mOm  sm.  Distillangan  suvni  ion 
almashuvchi smolalardan o‘tkazish orqali olinadi. Bu smolalar 2xil bo‘lib 1- kationlar 
Mikroskop 

---

 
126 
(metal  ionlarni  yutadi)  2-anionlar  (kislota  qoldiqlari  ionlarini  yutadi).  Kationlar 
ximyaviy formulasi : R-H ; anionlarniki: R-OH  
Misol: FeSl
3 
 dan tozalash quyidagicha bo‘ladi: 
1) 3(R-H)+Fe
+++
→ FeR
3 
+ 3H
+ 
2) 3(R-OH)+3Cl
-
→ 3RCL+3OH
- 
3H
+
 +3OH
-
= 3 H
2
O hosil bo‘ladi. 
(1) dagi  Fe 
+++
     ioni    R bilan bog‘lanib qoladi va N
+
 ioni hosil bo‘ladi. 
(2)dagi Cl 
- 
ioni   R bilan bog‘lanib qoladi va ON
-
 ioni  hosil bo‘ladi. 
H
+
 va OH
-  
 ionlari bog‘lanib suv hosil bo‘ladi. 
Kremniy  plastinkasida  epitaksial  qatlam  o‘tsirish  uchun,MDP  strukturalarining 
zatvor  osti  oksid  qatlamini  olish  uchun  gazli  yemirish  usuli  bilan  plastinka  sirti 
tozalanadi.Bunda  ifloslar  tozalanishi  bilan  birga  monokristall  struktura  buzilgan 
qatlam ham olib tashlanadi (ya‘ni nuqsonlar yo‘qotiladi.)  
Yemirgich  sifatida  N  yoki  Ne  ning  galogenlar  (F,  Sl,  Br)    galogenovodorodlar 
(HVr, HCL), serovodorod H
2
S,geksaftorid SF
6
  bilan aralashmasi ishlatiladi. 
N va Ne dagi bu moddalarning miqdori 0,1-1 % gacha bo‘ladi. 
Oksidlovchi qurilmada yoki epitaksial qatlam o‘stiruvchi reaktorda  T=800-1300 
0 
C harorat oralig‘ida ishlov beriladi. 
Si ni HCL da yemirganda quyidagi reaksiya vujudga keladi: 
Si
(qattiq)
 + 2HCl
(gaz)
1150-1300
o
C = SiCl
2(gaz)
 + H
2(gaz)
 
  ya‘ni Si sirti gaz shaklida ajralib tozalanadi.