технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями



Download 3,08 Mb.
bet3/18
Sana31.03.2022
Hajmi3,08 Mb.
#520182
TuriЛитература
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18
Тоаня пленка

"Толстая" пленка

Германиевая пленка

Т=20°С

2·10-10

6,5·10-9

6·10-10

50

36

43

1·10-8

2,3 10-7

2,6·10-8

Т=196°С

1·10-11

3·10-9

5,5·10-10

10

200

390

1·10-10

3,6·10-6

1,9·10-7

АФН-пленки из кремния (монокристаллический, p-типа ρ=1500 Ом·см.) в работах /72,73/после предварительной
обработки помещали в тигель, изготовленный из окиси бериллия. При испарении в камере поддерживался вакуум 10-5÷10-8 мм.рт.ст., температура тигеля была 1300-1450°С, а подложки 500°С. Испарение велось в течение 10-15 минут, угол напыления был 40°. Темновое сопротивление оказалось равным 1011÷1014 Ом. В таблице 1.3 представлены основные характеристики АФН-пленок кремния /65/.
Таблица1.3

В = 40000 лк

номер
пленки

13

16

101

102

105

Т = 20°С

V, В

2

14

0,8

6,5

3

V', В

1,5

7

5

7,5

3

Т = 196°С

V, В

200

640

18

370

300

V', В

150

500

8

200

250

(V, V' фотонапряжения при освещении с фронта и тыла).
Обнаружен /63, 74/электретный эффект в АФН-пленках кремния порядка 0,1÷0,5 В.
В работе /75/АФН-пленки кремния получены иными методами. Для испарения пластинка кремния зажималась между двумя электродами и помещалась вдоль оси тонкостенного медного цилиндра, внутри цилиндра были кварцевые подложки (5-8 шт.). За счет тока, прикладываемого к электроду, Si испарялся, таким образом получены аморфные пленки, где VАФН достигал ~40В.
В работах /76, 77/АФН-пленки кремния получены путем электронной бомбардировки. В качестве исходного материала служил кремний р-типа (ρ=800÷3000 Ом·см.), а подложками кварц и монокристаллический магнезит, температура подложки была 600÷900°С.
Авторы /78/изучали влияние температуры подложки, термообработки, старения, поглощение окружающих газов и т.д. на свойства АФН-эффекта. В их опытах фотонапряжение при комнатной температуре доходило до 1000 В. Материал осаждался на нагретую (450÷500°С) подложку NaCl под углом 30÷60°. Авторы пришли к выводу, что указанные параметры определяют возникновение АФН-эффекта в слоях Si.
В работе /79 /приведены результаты наблюдения АФН-эффекта в слоях Si. Пленки получались испарением высокоомного кремния (n-или р-типа) из алундового тигеля в вакууме 10-5 мм.рт.ст. Подложками служили стекло, кварц и другие кристаллические каменные соли.
В /74/пленки Si получались испарением кусочков исходного материала в вакууме 10-6 мм.рт.ст. с помощью специально изготовленного тигеля из окиси бериллия и алунда. Для получения АФН-пленок кремния монокристаллический кремний p-типа с ρ=300 Ом·см. предварительно травили в HF·HNO3. Показано, что АФН-эффект увеличивается со временем и величина фотонапряжения зависит от толщины образца.
Установлено /63/, что возникновение фотонапряжения практически не зависит от типа подложек, а сильно зависит от окружающей среды /60, 61, 63, 74/.
В работе /63 /получены АФН пленки из селена, фотонапряжение достигало 40В. В этих пленках наблюдался быстрый спад фотонапряжения, т.е. "время жизни" исчислялось днями. Сохранить первоначальные напряжения в слоях Se путем покрытия поверхности образцов диэлектрическим лаком не удалось.
Пленки CdТе, Интерес к физическим и прикладным аспектам АФН-эффекта существенно увеличился после того, как Пенсак и Голдстейн /80, 81/показали, что фотонапряжение в пленках теллурида кадмия при комнатной температуре может достигать сотен вольт. Они выявим, что величина АФН зависит от толщины слоя и температуры подложки в процессе напыления пленки и для наличия большей подвижности при формировании АФН-эффекта в пленках теллурида кадмия важна температура подложки.
В результате анализа технологического процесса напыления АФН-пленок показало /63, 82/, что для получения эффективных пленок необходимо сочетание оптимальных значений давления и состава остаточных газов в вакуумной камере, температуры подложки и испарителя, толщины пленки и угла напыления. Следует отметить, что впервые в этих работах поставлен вопрос о раздельном экспериментальном исследовании роли наклонного напыления и обусловленного им градиента толщины пленки. Для экспериментального решения данного вопроса были проведены опыты по получению пленок при нормальном напылении с “искусственным градиентом” толщины и при косом напылении без градиента толщины. Такие пленки изготавливались с помощью шторки, которая перемещалась в вакуумной камере перпендикулярно направлению молекулярного пучка в процессе напыления. По полученным в опытах результатам видно, что АФН-эффект в исследованных полупроводниковых пленках определяется наклонным напылением, т.е. градиент толщины пленки не влияет на формирование АФН-эффекта. Некоторые параметры для исследования АФН-пленок теллурида кадмия приведены в табл. 1.4 /73/.
Таблица 1.4


Download 3,08 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish